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集成电路通讯2001年出版文献
出版文献量(篇)
868
总下载数(次)
16
集成电路通讯
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投稿
主办单位:
中国兵器工业第214研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
季刊
邮编:
233042
地址:
安徽省蚌埠市06信箱
出版文献量(篇)
868
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1992年
1989年
目录
1.
一种专用宽带低噪声前置放大器
作者:
张旭光
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
1-5
摘要:
描述了一种专用双极单片宽带噪声前置放大器。该放大器的开环增益60dB-3dB带宽2.5MHz,等效输入噪声电压1.6V√Hz。
2.
一种数字信息顺序交换器的设计
作者:
康玉玲
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
6-9
摘要:
数字信息顺序交换器电路是一种数字信息传输电路,用于专用微电子计算机交换信息,并根据电子计算机的指令信息和其它仪器装置的控制信息形成这些仪器的控制信号。
3.
高密度LED平板显示器件的研究
作者:
何中伟 周冬莲
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
10-15
摘要:
详细介绍了新型的厚膜直接描绘技术研制64×32元LED平板显示器件的工艺设计及封装结构设计的设计思想和设计过程,确定了关键工序的工艺参数,针对工艺难点提出了解决措施。
4.
一种专用过滤焊盘工艺研究
作者:
吴家祥 梁卿才
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
16-18
摘要:
根据硅中方块电阻与结深、杂质浓度的关系,优化设计多晶硅制作过渡焊盘工艺。多晶硅中杂质扩散结深由原来示知不定量变为可知定量;杂质浓度分布也由原来非均匀分布优化为均匀分布,提高可靠性。将多晶硅液...
5.
提高硅片氧化均匀性的一种方法
作者:
李丙旺
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
19-20
摘要:
采用加大硅片的片与片之间距离的方法,通过氧化通量模型,证实了加大硅片氧化时的间距能使氧化剂气流更好地硅片表面均匀反应,提高了氧化层的均匀性,在实际生产中取得了很好的效果。
6.
烧结前厚膜基片洁净工艺研究
作者:
明源
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
21-22
摘要:
用实验方法对烧结前厚膜基片洁净工艺进行了研究,获得了空白陶瓷基片和印有各种湿、干膜浆料的基片的有效清洗方法。
7.
一种用于C-V测度的硅栅电容制作方法
作者:
张辉然
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
23-25
摘要:
采用掺磷多昌硅作电极材料与场注入隔离技术相结合的硅栅电容制作方法,克服了用AL做电有材料的C-V测试结构在实践中的不足,目前已在CMOS工艺中得到应用。
8.
某专用集成电路输出端的防静电设计
作者:
黄承梅
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
26-27
摘要:
介绍了某专用集成电路输出端电路结构,输出端防静电设计及防静电试验等。通过防静电设计,提高了电路质量和产品的综合良品率。
9.
红外焦平面阵列用信号处理电路技术探讨
作者:
程开富
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
28-34
摘要:
10.
现代科学的奇迹-半导体技术
作者:
周如培 李恩玲
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
35-41
摘要:
简要回顾了半导体技术五十多年的发展历史,介绍了晶体管、集成电路、功率半导体器件以及半导体材料的研发过程和当前的水平,并展望21世纪初半导体技术的发展方向以及在信息社会中将起的作用。
11.
BM5C05磁卡预读电路
作者:
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年1期
页码: 
42-43
摘要:
12.
一款前置放大器的低噪声设计与分析
作者:
李有池 鲁争焱
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
1-6
摘要:
描述了有关放大器的噪声机理和特性,详细论述了前置放大器的低噪声设计步骤和过程,并根据晶体管的噪声特性曲线和噪声系数等值曲线对输入晶体管的偏置进行了理论计算。
13.
一种氧气浓度检测仪
作者:
叶结伢 王惠忠
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
7-9
摘要:
介绍一种界限电流式氧气传感器的结构、工作原理及其用于氧气浓度检测仪的电路设计。
14.
一种PIN硅管光电接放器设计探讨
作者:
桑泉
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
10-12
摘要:
介绍一种国产PIN硅管光电转换器件及其接口前置放大电路的设计。
15.
P阱硅栅CMOS电路阈值电压漂移现象的分析和采取的解决办法
作者:
高庆宁
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
13-18
摘要:
针对CMOS集成电路制造工艺中出现的阈值电压漂移问题,通过对大量工艺实验数据的统计分析,提出了电路失效模型,又运用理论分析,找出了问题的原因所在。据此改进了设计和工艺,并经实验验证,效果良好...
16.
CMOS贯军标产品气密性封装的实践
作者:
展明浩 胡同灿
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
19-21
摘要:
气密性封装在CMOS单片集成电路军标线认证工作中是一项重要的内容,文中介绍了采用旧的高温扩散炉,实现Au-Sn合金焊料的IC密封烧结,其产品的密封质量满足GJB548A-96方法中1014A...
17.
多晶硅液态源掺杂工艺质量控制究
作者:
李丙旺
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
22-24
摘要:
采用液态源进行多晶硅掺杂,利用最小二乘法得出多晶硅掺杂方块电阻与掺杂时间,以及多晶硅掺杂方块电阻与多晶硅厚度的实验曲线和经验公式。为硅栅CMOS电路中的多晶硅掺杂工艺的设计提供了直接依据,并...
18.
浅谈多芯片组件(MCM)的可靠性技术
作者:
侯翠群 陈晖
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
25-27
摘要:
介绍了多芯片组件(MCM)可靠性的研究方法和关键技术,指出多芯片组件(MCM0可靠性研究应以失效物理评价方法为主。
19.
WindowsNT局域网的设置与管理
作者:
高惠潮
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
28-30
摘要:
介绍如何应用局域网,实现WWW信息服务、电子邮件服务、网络管理等功能。
20.
平板显示技术的发展概况及展望
作者:
展明浩
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
31-33
摘要:
介绍了几种主要的平板显示技术的发展概况,比较了它们在性能上的优缺点,并对今后的发展前景做了预测。
21.
微电子技术文件形成过程中的标准化问题
作者:
何中伟 胡明芬
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
34-37
摘要:
针对微电子技术文件的标准化问题,从提出标准化的基本要求出发,通过常见的标准化问题解析,探讨了各个形成阶段和标准化职责与对策。
22.
SiGe/CMOS/GaAs技术评价
作者:
符正威
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
38
摘要:
23.
钉头凸点倒装焊技术
作者:
符正威
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
39
摘要:
24.
DDSY124型全电子单相电能表性能简介
作者:
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
40-41
摘要:
25.
汽车电子专用集成电路
作者:
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年2期
页码: 
42-44
摘要:
26.
低温共烧陶瓷(LTCC)型MCM
作者:
何中伟
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年3期
页码: 
1-10
摘要:
简要介绍LTCC型MCM的特点,应用,制造工艺和杜邦公司生瓷带材料体系。
27.
DSP技术发展与应用综述
作者:
鲁争焱
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年3期
页码: 
11-15
摘要:
综述了DSP技术的国内外发展现状,典型应用及发展趋势,介绍了DSP开发方案的设计与选择过程,包括DSP系统的功能分析,算法的验证与模拟,以及开发工具的选择。
28.
技术评价:系统级芯片(SoC)和系统级封闭(SiP)
作者:
符正威
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年3期
页码: 
16-17
摘要:
文中对系统级芯片和系统级封装的定义,进展和相互比较进行了简要介绍和评论,其中,对SiGe技术用于系统级芯片也有介绍。
29.
光电耦合器关键技术及其进展
作者:
张瑞君
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年3期
页码: 
18-20
摘要:
光电耦合器(OCD)是众多光电子器件中应用范围最为广泛的器件,受到人们的关注。本文就电耦合器的构形,制作工艺,红外发光二极管(IRLED)寿命,光敏探测器稳定性,封装形式与稳定性等关键技术作...
30.
HWPCVD多晶硅薄膜的制备及性能分析
作者:
刘心莲 程开富
刊名:
集成电路通讯
发表期刊:
2001年3期
页码: 
21-23
摘要:
介绍了热壁低压化学气相淀积(HWLPCVD)多晶硅簿膜的结构,电子,光学和腐蚀性能。
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35
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集成电路通讯基本信息
刊名
集成电路通讯
主编
高惠潮
曾用名
主办单位
中国兵器工业第214研究所
主管单位
出版周期
季刊
语种
chi
ISSN
CN
邮编
233042
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电话
0552-31249
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