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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
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22967

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
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  • 1. 非致冷测辐射热计红外焦平面阵列
    作者： 李尚俊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  73-76
    摘要： 非致冷测辐射热计以其高性能和低价格,成为红外热成像技术新的研究热点.焦平面设计为桥式结构,器件制作采用微机械加工技术.文章介绍了该器件的设计、制作、性能和应用.
  • 2. 硅基键合激光器的研究进展
    作者： 余金中 王启明 韩伟华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  77-79,84
    摘要： 硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求.目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合.键合方法克服了异质结外延生长不可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共...
  • 3. 高功率无铝半导体激光器
    作者： 任大翠 张兴德 杨进华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  80-84
    摘要： InGaAsP/GaAs激光器能抑制暗线缺陷的形成,器件的突然失效及缓慢退化有所减少.研究表明,高功率无铝半导体激光器比有铝的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性.文章分析比较了高功...
  • 4. InP基应变补偿多量子阱的研究进展
    作者： 杜国同 杨树人 殷景志 王新强
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  85-87
    摘要： 介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比.讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP基应变补偿MQW的生长条件.
  • 5. CdTe太阳能电池研究进展
    作者： 冯良桓 孙小松 张静全 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 黎兵
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  88-92
    摘要： 详细叙述了制备CdTe基太阳能电池的各种技术及其特点、沉积后热处理工艺、背电极工艺及CdTe基太阳电池的研究进展;重点讨论了近空间升华技术、氯化物热处理工艺、ZnTe: Cu背电极技术.介绍...
  • 6. SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系
    作者： 张世林 张培宁 李树荣 林世鸣 沙亚男 芦秀玲 郑云光 郑元芬 郭维廉 陈弘达
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  93-99
    摘要： 文章对电阻为负载时,硅光电负阻器件(SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析.定义了描述静态光学双稳态特性的7个基本参数,并分析了负载电阻(RL)和电源电压(V...
  • 7. 一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管
    作者： 周雪梅 张少强 徐重阳 王长安 赵伯芳
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  100-103
    摘要： 提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)结构.详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性.论述了在背光照射下,这种结构的TFT能有效抑制关态电流(I...
  • 8. 1.3 μm和1.55 μm GaInAsP/InP阵列激光器
    作者： 晏长岭 赵英杰 钟景昌 黎荣晖
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  104-106
    摘要： GaInAsP/InP系列激光器由于其T0小,且受环境温度影响大,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的.而采用大光腔(LOC)结构的激光器,其T0值可达100～140K,单个1.3μm激光器...
  • 9. 光纤陀螺用单Y 1.3 μm LiNbO3集成光学器件
    作者： 沈映欣
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  107-110
    摘要： 用退火质子交换法制作了用于光纤陀螺的集分束器、相位调制器、偏振器为一体的LiNbO3集成光学器件,介绍了器件设计考虑,简述了器件的工作原理,并对其性能进行了分析.
  • 10. AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究
    作者： 卢菲 崔德良 张淑芝 王海涛 秦晓燕 连洁 魏爱俭 黄伯标
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  111-114
    摘要： 用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品.用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数,并求其介电函数的三级微商谱.用三点比例内插法分析介电函数...
  • 11. 用电导数技术筛选可见光半导体激光器
    作者： 李正庭 李红岩 石家纬 金恩顺 高鼎三 齐丽云
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  115-117
    摘要： 对60只670 nm可见光量子阱激光器进行电导数测试,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性.实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器...
  • 12. LD泵浦Nd:YVO4/KTP激光器晶体长度对输出的影响
    作者： 张蓉竹 杨春林 蔡邦维 马孜
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  118-120
    摘要： 利用四能级激光系统的速率方程,对激光二极管(LD)纵向泵浦Nd:YVO4/KTP腔内倍频绿光激光器激活介质和倍频晶体的长度对输出激光功率的影响进行了理论计算,给出了参数优化结果,分析了它的工...
  • 13. 自洽势修正对纳米晶体颗粒电子结构的影响
    作者： 王麓雅 黄建平
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  121-123,128
    摘要： 在紧束缚近似下,只计及最近邻的矩阵元,采用格林函数计算了自洽势修正对简立方纳米晶体颗粒的电子结构的影响,发现电子能谱发生了移动,化学势不等于格点原子能级,各格点的电子密度也发生了变化,其中以...
  • 14. 可溶性PPV衍生物电致发光器件
    作者： 侯延冰 张希清 徐征 杨盛谊 王振家 董金凤 陈晓红
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  124-128
    摘要： 研究了MN-PPV薄膜的光致发光和电致发光特性.结果表明,单层器件中的电致发光峰值位置与所加电压无关;在双层器件结构(ITO/MN-PPV/Alq3/Al)中,当Alq3层很薄(小于或等于1...
  • 15. PPV的合成和光致发光光谱
    作者： 汪河洲 莫越奇 贾德民 郑锡光
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  129-131
    摘要： 用Lenz法和Burn法合成了PPV,发现热转化温度是改变光致发光光谱的主要因素,随着热转化温度升高,谱峰发生红移,强度下降,谱峰形状变化很大;轻微的氧化、膜厚对发光强度有影响,对谱峰位置、...
  • 16. 硅微传感器的热挠曲及谐振频率的计算
    作者： 刘君华 刘月明 张少君
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  132-134
    摘要： 分析了硅微机械谐振式传感器在热激励下的挠曲及谐振频率变化,建立了相应的数学模型,并对热挠曲灵敏度进行了优化设计.同时通过算例和测试数据的对比,验证了谐振频率计算模型的正确性.
  • 17. 近红外激光二极管在气体传感中的应用
    作者： 叶险峰 汤伟中
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  135-139
    摘要： 综述了近红外激光二极管在气体传感中的应用,讨论了用于这一技术的器件和实验技术.文中讨论了用分布反馈(DFB)激光二极管、垂直腔面发射激光器(VCSEL)以及其他单频器件作为光源的激光气体传感...
  • 18. 高效率ZnS:Er ACTFELD的研制
    作者： 刘瑞堂 孙书农 徐广海 柳兆洪 陈谋智
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  140-142
    摘要： 对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD),根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益,提高激发效率的原理,通过改变常规 ZnS:Er ACTFELD 的基本结构,研制出多阻挡层器件.实验...
  • 19. SLA端面增透膜设计的理论分析与计算
    作者： 周丹 王健华 鲁乙喜
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  143-146,149
    摘要： 文章推导了多层平板波导结构的半导体激光放大器(SLA)端面反射率的计算方法,为优化设计SLA端面增透膜参数提供了工具.对InGaAs/InGaAlAs多量子阱SLA端面增透膜参数进行了优化设...
  • 20. 光照对多孔硅生成的影响
    作者： 涂楚辙 贾振红
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  147-149
    摘要： 研究了多孔硅制备过程中光照对孔隙率大小的影响.实验结果表明,在不同的光照度下孔隙率会出现一极大值.从光化学过程对这一结果进行了理论分析.
  • 21. 定向金刚石膜的合成及机理探索
    作者： 任志昂 唐璧玉 杨国伟 蔡孟秋
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  150-152
    摘要： 采用热丝化学汽相淀积(CVD),未用别的辅助措施,合成了(100)晶面的金刚石膜.结合CVD金刚石成核的微观过程,探讨了定向金刚石膜的形成机理.发现和研究了表面扩散对CVD金刚石成核的重要影...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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期刊荣誉
1. 信息产业部优秀电子期刊
2. 重庆市优秀期刊

半导体光电统计分析

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