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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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  • 1. 宽禁带GaN基半导体激光器进展
    作者： 章蓓
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  1-6
    摘要： 宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系，其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光...
  • 2. SOI集成光电子器件
    作者： 余金中 刘忠立 史伟 张小峰 房昌水 魏红振
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  7-11
    摘要： Silicon-on-insulator(SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容，采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路。文章回顾了近几年来SOI集成光电子器件的发...
  • 3. 半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性
    作者： 张素梅 张锋刚 李红岩 石家纬 胡贵军
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  12-14
    摘要： 测量了50余只980 nm InGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V-I特性。结果表明，小注入情况下，980 nm半导体激光器的低频电噪声主要表...
  • 4. 啁啾和切趾函数可调的光纤光栅的扫描写入法
    作者： 刘晶雯 夏历 李栩辉 王建萍 谢世钟
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  15-17
    摘要： 使用均匀相位模板和244 nm倍频氩离子连续激光器，采用扫描写入法，制作了啁啾和切趾函数可调的光纤光栅。扫描器由微机控制，通过软件编程可动态调整扫描速度及曝光量，操作简便、调整的灵活余地大。...
  • 5. 由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态
    作者： 候晶莹 刘式墉 张世林 李丰 李树荣 郑云光 郭维廉 高强
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  18-20
    摘要： 对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机/聚合物发光二极管(OLED)为负载器件，以光电双基区晶体管(PDUBAT)型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量...
  • 6. 由W0.95Ni0.05金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性
    作者： 徐万劲 邢启江
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  21-25，37
    摘要： InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压120 V作用下,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为110 nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条，并在该应变条下的半导体内形...
  • 7. Si基的 RICBD法生长GaN薄膜
    作者： 孟宪权 范湘军 蔡先体 郭怀喜 黄启俊 黄浩
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  26-30
    摘要： 讨论了反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点，利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜, 并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析，证实形成了良好的Ga...
  • 8. 一种新型光开关交换器
    作者： 冯锡钰 张惠英 牛德芳
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  31-33，44
    摘要： 探讨了光偏振现象和旋光现象的特点，进而利用偏振和旋光现象提出一种新型光开关交换器。这种交换器具有结构简单、与输入光的偏振态无关、不会产生相位差、插入损耗和信道串扰小、响应速度快、器件体积小等...
  • 9. 有效折射率法的研究
    作者： 刘润民 孙飞 李国正
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  34-37
    摘要： 分析了有效折射率法及其计算偏差的产生原因，提出了一种改进方法。这种方法克服了有效折射率法的由计算顺序不同导致的计算结果不一致的问题，并使计算精度有所提高。
  • 10. 非制冷红外探测器用VOx薄膜的制备
    作者： 刘爽 李华高 杨子文
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  38-40
    摘要： 介绍了一种采用反应溅射工艺，通过控制不同气氛的分布制备VOx薄膜的方法，并制备出电阻温度系数(TCR)优于-2%的非制冷红外探测器用VOx薄膜。其XPS、XRD分析结果表明，薄膜的生长情况与...
  • 11. 有机电致发光薄膜的电流输运机理的分析
    作者： 刘旭 唐晋发 范希智 陈君 顾培夫
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  41-44
    摘要： 用TPD作空穴传输层、8-羟基喹啉锌作发光层，制备了有机薄膜器件，测量了其电致发光特性。分析了该器件的电流输运机理，认为该有机薄膜器件在电致发光时流过器件的电流受热电子注入效应、空间电荷限制...
  • 12. 阻挡层结构的蓝色有机发光二极管
    作者： 张志林 张步新 朱文清 蒋雪茵 许少鸿
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  45-47
    摘要： 制备了ITO/CuPc/NPB/TPBi/Alq3/MgAg有机发光二极管，由于阻挡层TPBi对空穴的阻挡作用，器件的电致发光为NPB特征光谱，实现了蓝色发光。器件最大亮度和最大流明效率分别...
  • 13. MMI型1.31/1.55 μm GaAs波分复用/解复用器的研制
    作者： 杨建义 江晓清 王明华 马慧莲
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  48-51
    摘要： 利用多模波导的自镜像原理，分析设计了一种能直接与单模光纤相耦合的具有最小循环比的1.31/1.55 μm波长的GaAs/GaAlAs波分复用/解复用器。该器件的输入、输出单模波导和SIE多模...
  • 14. 集成光学技术及其应用》
    作者：
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  51
    摘要：
  • 15. 光刻工艺参数的优化方法
    作者： 刘忠安
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  52-53,61
    摘要： 通过引入有效时差的概念，提出了一种可模拟光刻工艺参数间的相互关系及优化光刻参数的方法。与Dill及Mack等的方法相比，该方法可直接建立光刻工艺参数之间的关系，并可对光刻工艺进行优化设计
  • 16. 简立方单原子纳米晶体颗粒的声子结构研究
    作者： 李桂梅 王麓雅 黄建平
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  54-57
    摘要： 应用Dyson方程推导了简立方单原子纳米晶体颗粒的声子格林函数。以此为基础，研究了简立方纳米晶体颗粒的声子结构，计算了其声子能级和声子态密度。计算结果表明,由于量子尺寸效应，在纳米晶体颗粒中...
  • 17. 《纤维光学技术在军事中的应用》
    作者：
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  57
    摘要：
  • 18. 多光束共焦三维测量系统误差的标定及校正
    作者： 孔兵 弥宁 王昭 谭玉山
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  58-61
    摘要： 由于具有非接触、精度高、测量速度快的特点，多光束共焦测量已经成为一种重要的光学三维测量手段。文章分析了系统中存在的像差，并对第二类像差（焦平面弯曲）提出了测量和标定的方法，即通过测量平面镜来...
  • 19. 光刀中心自适应阈值提取法
    作者： 吴剑波 崔振 谭玉山 赵宏
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  62-64
    摘要： 在讨论了常用的各种光刀中心提取法的基础上，提出了一种光刀中心自适应阈值提取法。该方法结合了极值法、阈值法和重心法，避开了它们各自的缺点，消除了噪声干扰，从而实现了光刀中心的精确定位。该方法具...
  • 20. 由正弦结构图产生的莫尔条纹各影响因素分析
    作者： 李根乾 王学礼 谭玉山 赵宏
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  65-68
    摘要： 莫尔技术以其特有的优点在光电三维面型测量中占有举足轻重的地位。正确理解各种影响因素对莫尔条纹的影响，对莫尔技术的正确应用有着重要的指导意义。分析了由正弦结构形成莫尔信息的几种方式，详细地研究...
  • 21. 采用光折变全息干涉计量术对光楔特性的测量
    作者： 范云正
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2001年1期
    页码:  69-72
    摘要： 光折变晶体是一种新型的记录材料，应用光折变效应，不需显影、定影等处理，就可实现实时观测。文章探讨了光折变实时全息干涉法在光学检测中的应用，提出同时确定光楔楔角和折射率的新方法，从而改变了只有...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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