Si基的 RICBD法生长GaN薄膜

• 作者: 孟宪权 范湘军 蔡先体 郭怀喜 黄启俊 黄浩
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应离化团簇束沉积 GaN薄膜 缓冲层
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.01.007

摘要

讨论了反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点，利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜, 并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析，证实形成了良好的GaN薄膜。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟宪权	武汉大学物理系	18	45	4.0	5.0
2	黄启俊	武汉大学物理系	128	515	11.0	15.0
3	范湘军	武汉大学物理系	26	237	8.0	14.0
4	黄浩	武汉大学物理系	22	283	9.0	16.0
5	蔡先体	武汉大学物理系	1	3	1.0	1.0
6	郭怀喜	武汉大学物理系	2	4	1.0	2.0