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半导体光电2002年第3期出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 垂直腔面发射激光器因与传统的边发射激光器有不同的结构,所以在光互联、光存储、光通信等方面得到了越来越广泛的应用.文章概述了近年来以垂直腔面发射激光器为发光器件的收发模块结构的最新研究与进展,...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 根据子带跃迁的量子力学选择定则,量子阱红外探测器对垂直于阱层的辐射无响应,只有利用光耦合模式,把正入射的光束转变成量子阱可吸收的形式,红外探测器的量子效率才能提高.文中介绍了几种主要光耦合模...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著优点是在紫外波段存在着受激发射.光泵浦紫外受激发射的获得和自形成谐振腔的发现,使ZnO薄膜成为一种备受青睐的新型光...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 二元光学器件的激光直写技术可克服传统的半导体工艺(掩模套刻法或多次沉积薄膜法)所带来的加工环节多、对准精度难以控制、周期长、成本高等问题,可进一步提高二元光学器件的制作精度和衍射效率.分析了...
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5. 半导体激光器的电噪声刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 通过测量激光器的电噪声,可以用来在线监测器件的诸多特性,如阈值电流的大小,是否有模式跳变发生,以及谱线宽窄等.另外,根据电噪声的大小,还可以对器件的质量和可靠性作出评价,具有快速、方便、无损...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起,其间实现电隔离,构成一种新型光耦合器.由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性,这种非线性光耦合器具有响应保持功能.文章以PDUBAT为例从实验方面证...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： CMOS读出电路中的噪声严重地制约了读出电路的动态范围,进而影响到焦平面阵列甚至成像系统的性能.文章对读出电路中KTC噪声、1/f噪声以及固定图形噪声的成因及抑制技术进行了分析和讨论,并给出...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理,以2×2区域调制多模干涉光开关为基础,采用级联的方式设计了4×4区域调制多模干涉SOI光波导开关.用有限差分二维BPM方法模拟了器件在不同工作状态...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 首次采用铝掩模工艺制备出9×9硅基聚合物阵列波导光栅(AWG)复用器.结果表明,在AWG器件制作工艺上,铝掩模技术明显优于厚胶掩模技术.用这种技术制备的器件,其结构指标与理论设计相符合.
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10. 全光再生中的时钟恢复技术刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 随着超高速大容量的光网络的发展,全光再生技术成为目前的研究热点.其中全光的时钟恢复是全光再生技术的重要组成部分, 是全光再生中定时、整形的基础.文章在阐述了目前各种全光时钟恢复技术研究所取得...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 针对DWDM光网络光交叉连接中光开关矩阵对其光交换网络的要求,分析了目前常用的置换型和常规型Crossbar光交换网络的性能,提出了一种新型的寻径型Crossbar光交换网络及其光学实现方法...
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12. DWDM系统中均匀光纤光栅的设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 分析了用于DWDM系统均匀光纤光栅反射特性与光栅、光刻条件的关系;给出了用于DWDM系统中的光纤光栅的设计原理、方法及确定光栅参数的流程.采用高斯光束和均匀相位模版,用二次曝光技术,有效消除...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 运用经典电路理论,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法,并成功地实现了光脉冲上升时间小于5ns、下降时间小于10ns,...
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14. 采用FPS110的指纹识别仪刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 较详细地介绍了FPS110 指纹图像传感器的结构、特性和工作原理,并给出了采用MCU和FPS110所组成的指纹识别仪的硬件设计方法及程序流程.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 采用正交试验设计,应用方差分析方法,研究了旋涂工艺中聚合物溶液的浓度、匀胶机的旋涂速度和加速度以及旋涂时间对所制备的薄膜厚度的影响.试验和分析结果表明:溶液浓度和旋涂速度对薄膜厚度具有显著性...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 根据实验,分析了表面处理对OLED性能的影响.对OLED的ITO阳极进行表面处理将改变ITO膜的表面化学组成及表面形态,这将直接影响ITO膜表面的功函数,从而影响ITO向有机层的空穴注入;同...
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17. CCD多晶硅栅条刻蚀的质量控制刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 依据等离子刻蚀机设备在CCD 研制中所起的关键作用,对提高刻蚀多晶硅电极的质量作了一些探讨,并给出了解决办法和结果.
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18. 选择外延MOVPE的表面迁移刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ/Ⅲ比的变化.结果表明,随着掩模宽度的增大,In组分增大,Ga 组分减少;随着Ⅴ/...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 首次报道了在Si衬底采用化学汽相沉积(CVD)技术生长出直径达φ50mm的大面积优质3C-SiC薄膜,表面光亮如镜.作者利用X-射线衍射、傅里叶红外变换吸收谱、X-射线光电子能谱和霍耳测量等...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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