φ50mm 3C-SiC薄膜的CVD生长及其特性研究

• 作者: 刘达清 陶长远
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 化学汽相沉积 Si衬底 φ50mm 优质3C-SiC薄膜
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 215-216
• 页数: 2页
• 分类号: TN491|TN256
• 字数: 832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.03.019

摘要

首次报道了在Si衬底采用化学汽相沉积(CVD)技术生长出直径达φ50mm的大面积优质3C-SiC薄膜,表面光亮如镜.作者利用X-射线衍射、傅里叶红外变换吸收谱、X-射线光电子能谱和霍耳测量等对薄膜进行了表征.并在利用所长3C-SiC/Si外延片研制肖特基势垒二极管和GaN基薄膜上取得理想结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶长远	南开大学物理学院	1	2	1.0	1.0
2	刘达清	南开大学物理学院	1	2	1.0	1.0