半导体光电期刊
出版文献量(篇)
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半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位:
重庆光电技术研究所
期刊荣誉:
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号44所内
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  • 作者: 张启程 徐端颐 王玉英 菅冀祁 贾惠波
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  83-86,123
    摘要: 随着材料科学、光存储技术的发展,国内外对光存储介质的研究不断深入.文章对全息、光谱烧孔、电子俘获、双光子、光致变色材料等光盘记录介质及其存储机理研究进展进行了综述.
  • 作者: 张威 王春青
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  87-90
    摘要: 激光器件组件封装中发光设备与光纤之间的耦合要达到微米级甚至亚微米级精度,光纤的固定技术成为光电子封装中的关键.综述了激光器件组件封装中光纤的各种固定方法,其中包括激光熔焊、环氧树脂粘接、钎焊...
  • 作者: 张顾万 李仁豪 顾正伟 龙飞
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  91-93
    摘要: 设计和研制了一种采用多晶硅交叠栅结构的1×288红外信号处理器读出电路.制作中采用了多重吸杂技术和大剂量离子注入技术,提高了电路的信号处理能力,降低了信号噪声.该电路具有分割、抗晕、背景撇出...
  • 作者: 任晓敏 宋继恩 杨广强 郭勇 黄永清
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  94-97
    摘要: 从耦合模理论出发,通过单独改变入射波中心波长、光纤光栅长度及耦合系数,数值研究了光纤光栅双稳态开关特性,给出了输入输出特性与这些参数的单一依赖关系曲线,得出一些有意义的结论.在此基础上,对如...
  • 作者: 刘云 孙艳芳 宁永强 晏长岭 王立军 王青 秦莉 赵路民 金珍花
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  98-100,114
    摘要: 结合垂直腔面发射激光器的制备,研究了AlAs选择性氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs层的横向氧化速率之间的关系,并得到了可精确控制氧化过程的工艺条件,在优化的工艺条件下运用湿...
  • 作者: 吴春亚 周祯华 孟志国 张丽珠 李娟 杨广华 熊绍珍 赵颖
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  101-104
    摘要: 提出了一种用于红外传感/显示的光-光转换器件--微晶硅PIN/OLED红外光上转换器件.详细描述了其工作原理及相关光转换的功能,并对其进行了理论模拟,结果表明它是一种可具有上转换功能、集光传...
  • 作者: 华勇 张春熹
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  105-107
    摘要: 分析了定向耦合器几个参数的相互关系,设计了钛扩散铌酸锂定向耦合器的仿真方案,用BPM软件对不同耦合间距的定向耦合器对工艺的容差进行了模拟计算,得到了几种耦合间距/串音变化的组合.
  • 作者: 张保洲 王术军
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  108-111
    摘要: 发光二极管(LED)在仪表功能指示、交通信号和标志、测量、通信等方面得到越来越广泛的应用,有非常大的市场需求量.LED应用中,对其性能一致性要求很高,因此LED生产线上必须配置对LED快速测...
  • 作者: 于志辉 余重秀 吴强 桑新柱 王旭 王星 王葵如
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  112-114
    摘要: 研究了用于多通道色散补偿器的取样啁啾光纤光栅时延抖动问题,分析了产生时延抖动的腔效应及抑制时延抖动的切趾技术,分析、比较了切趾前后取样啁啾光纤光栅的时延抖动情况,研究结果表明:取样啁啾光纤光...
  • 作者: 余水琴 毛幼菊
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  115-118,131
    摘要: 分析了无源光网络(PON)接入技术的演进,对APON、EPON以及新近出现的GPON技术进行了比较,重点述评了GPON的设计目标与GPON的系统组成.
  • 作者: 王敏琦 胡庆
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  119-123
    摘要: 通过对光波长转换技术及其核心单元OTU的介绍,讨论了光波长转换技术在波分复用(WDM)网络和下一代网络(NGN)中的主要作用.
  • 作者: 张文普 袁祥辉
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  124-127
    摘要: 介绍了接触式图像传感器(CIS)的简要原理和存在的噪声类型,阐述了用相关双采样来消除这些噪声的机理,分析了CIS要求的驱动信号CP、SP和采样保持信号SH1、SH2之间的时序关系,并用复杂可...
  • 作者: 季峰 陈炳若
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  128-131
    摘要: 介绍了基于硅双结型色敏器件的单色光波长测量系统的硬件、软件设计.该系统以微处理器为控制单元、硅双结型色敏器件为探测器,实现了对单色光波长方便、快捷、准确的测量.
  • 作者: 于小宁 孙成城 张勤
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  132-133
    摘要: 对使用简支梁调谐光纤光栅(FBG)波长的计算方法进行了分析,改进了传统计算公式,给出了计算光栅波长调谐量的解析式.与传统算法相比,改进算法可以直接通过梁的长度变化量计算得到波长调谐量,因此应...
  • 作者: 刘国栋 浦昭邦 王雯倩 陈世哲
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  134-135,138
    摘要: 分析了采用面阵CCD器件和自准直原理实现二维小角度测量的原理和方法,设计了采用计算机控制的高速数据采集和处理软件,通过使用Visual C++语言实现的界面,可以实时显示测量数据.实验表明,...
  • 作者: 蔡颖岚
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  136-138
    摘要: 介绍了用于平面及角度定位的四象限光电传感器,分析了其工作原理.利用该传感器构造了光刻机掩模板的平面定位系统.
  • 作者: 何国荣 谢生 陈松岩
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  139-142
    摘要: 应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理.I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特...
  • 作者: 张剑铭 徐晨 杨道虹 沈光地 董典红 阳启明
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  143-146
    摘要: 键合技术已经广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)领域,但传统的键合技术由于其缺点,限制了其应用范围,而激光以其独特的优势在键合技术中得到了人们的重视.文章介绍了激光在键合技术中的应用及其原...
  • 作者: 任晓敏 周震 黄永清
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  147-150,154
    摘要: 利用O点阵理论建立了键合界面的位错模型,并利用该模型讨论了键合界面由于晶格失配、晶向扭转和晶面倾斜所形成位错的特性,得到了和实验结果符合良好的计算结果.
  • 作者: 刘博阳 刘大力 张源涛 李万成 杜国同 杨天鹏 杨小天 杨树人 赵佰军
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  151-154
    摘要: 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1 h.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.光电子能...
  • 作者: 冯国英 赵刚 陈建国 黄强
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  155-157,161
    摘要: 建立了用于研究光脉冲在钕玻璃激光放大介质中传播特性的模拟软件.它综合考虑了激光放大介质中基质的克尔非线性效应、群速度色散、活性粒子的增益谱以及增益饱和对光脉冲传播特性的影响.所得结果对高功率...
  • 作者: 何乐年 刘磊 陈忠景
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  158-161
    摘要: 实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最...
  • 作者: 牛智川 魏全香
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2004年2期
    页码:  162-164
    摘要: 研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

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