Si/InP键合界面的研究

• 作者: 何国荣 谢生 陈松岩
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 键合 X射线光电子能谱 Si/InP界面
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 139-142
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 3433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.02.017

摘要

应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理.I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特性可知道,对于InP/Si键合结构而言,退火温度与界面特性应该存在最佳值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
2	谢生	厦门大学物理系	9	62	6.0	7.0
3	何国荣	厦门大学物理系	11	74	6.0	8.0