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半导体光电2007年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
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22
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151. 一种测量激光光强按角度分布的新方法刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出了一种新的测量方法,用于测量近似点光源或线光源在相同半径处光强按角度的分布.测量系统由旋转装置、角度探测系统和光强探测系统三部分组成.利用该系统对多模光纤耦合激光器光强分布进行了实际测量...
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152. 激光干涉信号的位置及偏差提取刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 为提高傅里叶变换光谱仪的性能,提出了一种精密的激光干涉信号位置及位置偏差提取方法.正交激光干涉信号经过放大,滤波,整形,成为正交数字信号,判向后在可逆计数器实时计数,DSP每隔固定时间读取一...
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153. 宽波段超大孔径反衍望远系统设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 二元光学器件除了能减小成像系统的体积、重量和成本外,还具有许多传统光学元件无法比拟的优越性.分别利用两个二元光学器件作为系统物镜和目镜,依据Schupmann望远系统设计了25 m口径超大孔...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 针对探测平台受体积的限制,提出了用CMOS探测器构建微小型偏振成像遥感器的思路,分析了其可行性,研制了一套微型CMOS偏振成像遥感器实验系统.利用该系统进行了野外偏振成像探测实验,结果表明其...
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155. 一种高信噪比科学级CCD数据转换系统刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 讨论了适应科学级CCD发展要求的高性能数据转换系统.在分析科学级CCD数据转换系统结构后,提出了一种以ADS1606为模数转换器的数据转换系统,详细说明了对应CDS结构,模数转换和FPGA的...
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156. 红外小目标小波多尺度相关检测方法刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出一种基于小波多尺度相关的目标检测方法.该方法通过二进小波对图像进行多尺度分析;利用边缘和噪声具有不同的Lipschitz指数造成它们的小波变换模在不同尺度下的不同传播特性,根据小波变换尺...
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157. 航空摄影测量用高清晰视频编码显示系统设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出了一种帧频可变的高清晰视频编码显示系统.该系统主要由相机控制单元、数据实时处理单元和视频编码单元三部分组成.通过MCU和FPGA的配合,实现了CCD相机的实时帧频处理控制.同时在FPGA...
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158. 光纤型缓存器的研究进展刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 对评价全光缓存器的技术指标作了评述,指出数字光缓存器并不仅仅起拷贝作用,而且要满足同步以及读写控制等要求.阐述了前向型、反馈型、SBS慢光型以及光纤光栅等不同结构的光纤型全光缓存器的原理、优...
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159. CCD成像传感器的降噪技术刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 系统地介绍了CCD成像传感器降噪技术的研究进展.重点介绍和分析了CCD复位噪声降噪技术和非均匀性校正技术的研究进展.特别介绍了用于克服CCD复位噪声的数字域加权双斜积分技术、基于场景的非均匀...
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160. 一种BiCMOS光电耦合隔离放大器的设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 设计了一种BiCMOS光隔离放大器,给出了其中两个运算放大器的设计电路.设计过程中只在推拉式输出级配置两个双极型晶体管(BJT),而在电路的其余部分则设置CMOS器件.为了提高放大器的增益线...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 基于泊松方程和载流子连续性方程,导出了InGaAs/InP SAGCM-APD(吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模拟,得到了AP...
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162. 垂直腔半导体光放大器动态增益特性研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 从速率方程和多层介质膜理论出发,构建了垂直腔半导体光放大器(VCSOA)的动态传输矩阵模型.利用该模型研究了器件在脉冲工作时的动态增益特性.数值结果表明,VCSOA的动态增益特性受抽运光强度...
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163. 大功率氮化镓基白光LED模组的散热设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 散热设计是大功率发光二极管(LED)模组结构设计的重要环节.首先利用计算流体力学方法对自然对流条件下大功率LED模组的温度场进行了模拟,提出并优化了模组可采用的散热片结构,进而对影响模组散热...
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164. 电极性质对异质结OLED光电性能的影响刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 采用空热蒸发技术制备了结构为ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine (NPB)/tris-(8-hydroxyqui...
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165. 基于热敏电阻的发光二极管热阻测量刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 介绍了一种基于热敏电阻的发光二极管(LED)热阻测量方法.将微小尺寸热敏电阻植入LED内部,通过测量热敏电阻的阻值,计算得到发光二极管管芯结温和热阻.对铜材料支架和铁材料支架的LED热阻进行...
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166. 有机聚合物S形脊波导的弯曲损耗研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 利用广角有限差分束传播法和有效折射率法研究了S形脊波导圆弧曲率半径与弯曲损耗的关系,得出了如下结论:当圆弧曲率半径大于5 000 μm后,即使波导曲率半径增大,波导的弯曲辐射损耗已不会再明显...
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167. 大尺寸液晶电视LED背光源的研制刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 采用功率型发光二极管(LED)器件研制了大尺寸液晶电视用的高亮度背光源,其中20英寸(1英寸等于2.54厘米)的样品采用1 W大功率器件,侧入式的耦合方式;30英寸的样品采用0.5 W的器件...
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168. 极坐标二维位敏光电探测器的设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 设计了一种极坐标二维位敏光电探测器,它采用一维位敏光电探测器测量原理测量光点的二维参数,经处理后得到光点的二维极坐标.该器件采用一种特殊的平面曲线形式的光敏面结构,可以广泛地应用于军事及民用...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 基于NI公司的Labview 8设计了一套功能全面的半导体紫外光电探测器参数自动化测试与分析系统,将光路调整、仪器控制、数据采集、数据处理和结果呈现整合到一个软件操作平台上,解决了传统手动测...
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170. 多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL) 的速率方程.讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)...
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171. 同向与反向抽运光纤拉曼放大器的增益比较刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 为分析同向抽运与反向抽运光纤拉曼放大器(FRA)的增益特性,基于已有的耦合微分方程,采用反向抽运中打靶法和龙格库塔法相结合的算法,得到相应结果;详细分析了所有参量对增益的影响,对两种抽运方式...
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172. 耦合垂直腔面发射激光器的阈值及输出特性刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 针对耦合垂直腔面发射激光器,利用边界条件,结合激光器的中间DBR层的耦合传输矩阵,推导出了不同激射波长工作时,两腔内光场应满足的方程,由此得到两腔光子之间的耦合因子,然后结合稳态载流子速率方...
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173. 多孔硅的化学浸蚀制备与表征刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 以不同电阻率的p型单晶硅片为研究对象,通过正交实验对化学浸蚀法制备多孔硅的工艺条件进行优化,采用多种仪器对制备的多孔硅比表面积、膜厚、表面形貌、化学组成及光致发光进行表征.结果表明,p型单晶...
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174. 长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用.采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接...
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175. 联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄...
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176. 气囊气缸式紫外纳米压印系统的设计刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 介绍了紫外纳米压印技术原理和自主研发的压印系统.设计了一种利用气囊气缸的新型找平装置,并描述了该装置的原理.研制了相应的光学系统,着重讨论了光学系统的设计和调整.最后,通过使用该系统成功制备...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和7...
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178. 多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜.主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的...
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179. 双曲正割平方势与量子阱的电子跃迁刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 引入了双曲正割平方势来描述超晶格量子阱中的电子运动, 利用这个相互作用势把电子的Schrdinger方程化为了超几何方程, 并以Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱为...
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180. 基于一维非线性光子晶体结构的全光信号处理刊名： 半导体光电发表期刊： 2007年5期页码:摘要： 考虑具有非线性层结构的一维光子晶体结构,应用非线性介质的传输矩阵算法,建立了电磁波传播特性的理论分析模型,得到了其电磁场的平面波解,给出了数值实现方案.研究表明,该方法可以精确地模拟一维非线...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
半导体光电统计分析
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