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半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

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热门刊内文献

年度刊次

1. Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展

作者：刘超曾一平李彦波赵杰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 1-5,14

摘要： Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用...
2. 中长波红外光波导器件发展现状

作者：周强李国熠杨建义江晓清王明华魏玉欣

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 6-10,142

摘要：阐述了中长波红外光波导器件的设计理念和用途.在介绍该领域的研究成果和最新进展的基础上,以应用在波长为10.6μm的硅基光波导器件为例介绍了实现低损耗波导的方法.
3. 全光半减器的研究进展

作者：李培丽胡越

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 11-14

摘要：介绍了几种全光半减器的实现方案,分析了各方案的结构和工作原理,以及各自的优缺点,并展望了半减器的发展方向.
4. MPP CCD扩散暗电流温度特性分析

作者：廖晓航李仁豪雷仁方

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 15-17,23

摘要：研究了MPP CCD扩散暗电流的温度特性,分析了扩散暗电流在不同温度下对器件总暗电流的贡献和不同处理方式对评估器件高温暗电流的影响,并对此进行了实验验证.结果表明,扩散暗电流在高温下对器件总...
5. 熔锥型单模光纤耦合器的一致性模型

作者：任建国张学亮胡正良胡永明

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 18-23

摘要：由于熔锥型光纤耦合器几何形状的特殊性,其耦合特性的研究通常是对于不同的区域采用不同的近似模型.构建了一个可以同时对耦合器各个区域耦合特性进行仿真的一致性模型.选取适当的连续函数描述锥形曲线和...
6. 硅薄膜太阳电池抗反射微纳结构研究

作者：李海华王庆康陈健

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 24-29,33

摘要：在硅薄膜太阳电池中,灵活的光学设计可以实现表层的零反射损耗,增大吸收层中光的透射率,从而提高薄膜太阳电池的光收集能力.在薄膜太阳电池吸收层表面设计了矩形介质光栅.利用严格耦合波理论和模态传输...
7. 自由空间用半导体激光器抗辐射的研究

作者：刘国军张斯钰曲轶李辉杨旭薄报学赵博赵强高欣

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 30-33

摘要：为了提高半导体激光器的抗辐射性能,满足空间应用的需要,在介绍了空间辐射环境的基础上,对空间辐射在半导体激光器中产生的总剂量效应、单粒子翻转效应和位移效应进行了分析,并探讨了半导体激光器在空间...
8. 非球面镜准直大功率半导体激光阵列远场特性

作者：宋禹尧舜庞晓林王智勇郎超

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 34-37,40

摘要：针对目前采用非球面快慢轴准直镜准直的大功率半导体激光阵列的远场光束特性在理论上缺乏准确的描述,而常用的单一能量利用率光束发散角不能够准确地描述半导体激光器准直光束的特性,难以有效指导其后整形...
9. 基于等效电路模型的半导体激光器直流偏置分析

作者：肖勇陈福深

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 38-40

摘要：从传统的激光器速率方程出发,同时考虑芯片封装寄生参量和本征区接触参量的影响,得出一种双异质结半导体激光器的新型等效电路模型,在此模型基础上用电路仿真软件PSpice分析了直流偏置对激光器弛豫...
10. 脊槽波导主模截止波长研究

作者：李锦屏杜丽霞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 41-43

摘要：为了满足微波传输系统性能的某些需求,各种结构形状的新型波导应运而生.采用有限差分法,利用MATLAB计算了脊槽波导中脊和槽的几何尺寸在中间位置连续变化时的主模截止波长,并对计算结果进行了对比...
11. 双包层铒镱共掺光纤放大器功率漂移及控制

作者：占生宝王文辉陈校平魏伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 44-46,51

摘要：基于速率方程的离散算法,分析了双包层Er3+/Yb2+光纤放大器增益动态的特性.研究了功率漂移与撤除信道数的关系及不同控制方式的控制效果.结果表明:信道撤除数量越多,放大器达到稳态的时间越长...
12. Weibull分布下基于MLE的红外发光二极管寿命预测

作者：张建平朱文清武文丽

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 47-51

摘要：为了对红外发光二极管(LED)恒定及步进应力加速寿命试验的数据进行统计分析,应用weibull分布函数描述了其寿命分布,利用极大似然法(MLE)及其迭代流程图估计出形状参数和尺度参数,通过最...
13. 不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究

作者：严剑飞付嵩琦吴志明太惠玲李娴

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 52-55,108

摘要：以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件.通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响.结果表明,沟道...
14. 基于主动红外的倒装芯片缺陷检测研究

作者：史铁林夏奇廖广兰查哲瑜陆向宁

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 56-59

摘要：传统的倒装芯片无损检测技术并不能完全满足倒装焊检测需要,为此提出了一种基于主动红外的倒装芯片缺陷检测方法.通过非接触方式对倒装芯片施加热激励,并结合红外测温设备检测芯片温度分布情况,从而对芯...
15. 聚合物芯片复型模具的新型制作工艺研究

作者：刘永顺吴一辉张平许龙芳

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 60-63,68

摘要： AZ4620是一种广泛应用于微系统制作的正性光刻胶.高温改性后的AZ4620在紫外曝光时光照部分不再发生光化学反应,基于这样的材料特性,以220℃高温硬烘30 min获得改性的无光敏性的光刻...
16. 幅度取样光纤光栅拼接制作技术的分析与研究

作者：张丽萍路慧敏陈根祥

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 64-68

摘要：提出了一种可用于制作高反射率纯幅度取样光纤光栅的拼接技术方案,并对拼接误差和拼接次数对取样光栅光谱特性的影响进行了详细的理论分析和研究.理论分析结果表明,采用拼接技术可以获得良好的多波长取样...
17. 溅射功率对Co-ZnO薄膜结构和光电性能的影响

作者：张剑华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 69-73,113

摘要：以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜.研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构,并沿...
18. 总剂量辐照SiO2/6H-SiC引起的界面势垒变化

作者：曹群牟维兵龚敏

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 74-76,79

摘要：辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化,影响其工作性能和可靠性.测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的Ⅰ-Ⅴ线,通过Fowler-Nordheim...
19. 椭圆偏振仪测试非晶薄膜热光系数研究

作者：刘永刘永智刘爽曾璞陈伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 77-79

摘要：在椭圆偏振仪测量原理的基础上,采用Forouhi-Bloomer模型的参数匹配模型,分析非晶硅的物理性质,利用温度与禁带宽度问的关系,得到利用椭圆偏振仪测试非晶硅薄膜热光系数的方法与非晶硅热...
20. 双频激励下受激拉曼散射的谱分布

作者：凌东雄吴木营李洪涛罗晓华罗诗裕邵明珠陈桂华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 80-83

摘要：假设介质是中心对称的,并考虑入射场与感应场同介质相互作用,在经典力学框架内,把介质的运动方程化为双频激励下的Duffing方程,用多尺度法揭示了拉曼谱的复杂结构.分析了系统的倍频共振和组合共...
21. Cu掺杂对sol-gel法制备的ZnO:Co薄膜发光特性的影响

作者：吴艳南徐明杜懋陆段文倩董成军

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 84-87,91

摘要：采用溶胶-凝胶法制备了Cu、Co共掺的Zn0.95-xCo0.05 Cu xO(x=0,0.01,0.03,0.05)薄膜,并用金相显微镜和X射线衍射(XRD)研究了样品薄膜的形貌和结构,结...
22. 纳米Si/SiNx超晶格实现Nd:YVO4激光被动调Q

作者：张培杨先才沈海波王加贤王燕飞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 88-91

摘要：采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料.把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd:YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获...
23. 光传输链路高速自动增益控制研究

作者：兰才伦刘必晨唐敏覃兆宇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 92-95

摘要：分析了光纤传输链路信号波动来源,得出引起信号波动的两种关键因素,针对该两种因素设计了一套高速自动增益控制系统(AGC)以及一套针对该系统的计算机软件效标方案,在光纤链路中通过引入该系统,使得...
24. V-BLAST光MIMO系统检测算法分析

作者：任薇李季碧邱绍峰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 96-98,104

摘要：为了降低系统光多输入多输出(MIMO)系统的复杂度,提高系统的性能,介绍了迫零(ZF)检测算法、最小均方误差(MMSE)检测算法、最大似然(ML)检测算法在垂直分层空时编码(V-BLAST)...
25. 一种使用光学滤波器分离副载波标签和净荷的方案

作者：孙晓玲李伟勤郑勉陈涛

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 99-104

摘要：进行了副载波标签和净荷分离技术的研究,采用基于波导结构的光学滤波器进行了分离副载波标签和光净荷的算法设计,并完成了基于波导结构的Chebyshev Ⅰ型、Chebyshev Ⅱ型、椭圆型和B...
26. 256×256CMOS读出电路随机开窗的简易实现

作者：刘昌举周岩江永清祝晓笑

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 105-108

摘要：介绍了一种实现CMOS读出电路的随机开窗口的方法.该方法采用译码器的方式实现,与传统的移位寄存器实现读出电路随机开窗相比,该方法的优点是电路结构简单、版图占用芯片面积小、功耗低,以及操作灵活...
27. 基于Davinci DM6446的红外电力检测系统测温算法实现

作者：代少升姜伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 109-113

摘要：针对传统红外电力检测中存在的缺点,采用TI公司的Davinci技术,设计并实现了一种基于DM6446的改进型测温算法.首先对达芬奇技术和红外电力检测系统进行了阐述,然后介绍了测温算法的原理,...
28. 一类数字信号N级采样滤波整形电路研究

作者：刘伟吕燚李文生邓春健

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 114-117,122

摘要：提出一类数字信号N级采样滤波整形电路,该电路包括N级信号采样电路、采样.信号状态比较电路、输出判决电路三部分.该电路在信号采样输出时,通过信号前后间的关系来判断信号的输出结果,避免了毛刺噪声...
29. 对称推挽式光纤光栅振动传感器设计研究

作者：于洋孟洲罗洪

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 118-122

摘要：为实现对低频振动信号高品质探测,设计了一种新型光纤光栅振动传感器,采用双光栅对称推挽式探头结构,可以有效抑制温度和应力交叉灵敏特性.通过理论仿真分析,表明传感器具有高灵敏度和良好的低频探测性...
30. 基于光纤M-Z干涉仪相干度变化的超窄线宽激光器跳模检测研究

作者：徐攀杨华勇胡正良马明祥

刊名：半导体光电

发表期刊： 2011年1期

页码: 123-127,131

摘要：超窄线宽激光器随机发生的跳模现象,作为一种干扰或噪声,是降低光学相干检测系统性能的重要因素.为了有效检测单纵模超窄线宽激光器的模式稳定性,提出一种基于光纤M-Z干涉仪的超窄线宽激光器跳模检测...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内