溅射功率对Co-ZnO薄膜结构和光电性能的影响

• 作者: 张剑华
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: Co-ZnO薄膜 溅射功率 霍尔迁移率 透射光谱 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 69-73,113
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材,利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜.研究了溅射功率对薄膜的结构、光学和电学性能的影响.结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构,并沿C轴择优生长;作用在Co靶上的溅射功率对Co-ZnO薄膜的结构和光电性能有一定的影响.在其他条件不变的情况下,当Co靶上的溅射功率设置为10 W时,样品的结晶质量、表面形貌、光透过率、光致发光以及导电性能综合评价最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张剑华	湘南学院物理系	8	18	2.0	4.0