磁控溅射功率对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响

• 作者: 张建鹏 李园 杨明敏 高倩 黄美东
• 来源期刊: 天津师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 溅射功率 Ti掺杂TZO薄膜(TZO) 光电性能
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: O436
• 字数: 4543字
• 语种: 中文

摘要

为了深入研究Ti掺杂ZnO薄膜的光电性能,采用射频磁控溅射技术在硅和玻璃基底上沉积Ti掺杂ZnO(TZO)薄膜.分别利用表面轮廓仪、X线衍射(XRD)、扫描电子昱微镜(SEM)、UV-3600分光光度计和HMS-2000霍尔效应测试系统等表征手段分析溅射功率对TZO薄膜微观结构及光电性能的影响.结果表明:溅射功率对薄膜样品沉积速率的影响呈现先升后降的趋势,对电阻率的影响正好相反.当溅射功率为100W时,薄膜的沉积速率最大,为7.96 nm/min,此时电阻率为最小的1.02×10-3 Ω·cm;所有TZO薄膜在可见光波段的平均透过率均高于80％,为透明导电薄膜.Ti掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,具有良好的c轴择优取向,溅射功率为100W时其微观结构均匀、平整、致密,表面形貌最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高倩	天津师范大学物理与材料科学学院	7	4	1.0	2.0
2	黄美东	天津师范大学物理与材料科学学院	56	185	7.0	10.0
3	张建鹏	天津师范大学物理与材料科学学院	6	2	1.0	1.0
4	李园	天津师范大学物理与材料科学学院	3	2	1.0	1.0
5	杨明敏	天津师范大学物理与材料科学学院	6	9	1.0	3.0