总剂量辐照SiO2/6H-SiC引起的界面势垒变化

• 作者: 曹群 牟维兵 龚敏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 总剂量辐照 6H-SiC 界面势垒 Ⅰ-Ⅴ分析
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 74-76,79
• 分类号: O485
• 语种: 中文

摘要

辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化,影响其工作性能和可靠性.测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的Ⅰ-Ⅴ线,通过Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流拟合,得到了界面势垒的大小,辐照前的为2.596 eV,辐照后降为1.492eV.界面势垒变化主要是由辐照产生的界面态引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理科学与技术学院	109	372	10.0	12.0
2	牟维兵	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	51	4.0	6.0
6	曹群	四川大学物理科学与技术学院	2	5	1.0	2.0