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控制与信息技术2015年出版文献
出版文献量(篇)
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控制与信息技术
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投稿
KONGZHI YU XINXI JISHU
曾用名:
变流技术与电力牵引|大功率变流技术(-2017.12)
影响因子
0.2801
主办单位:
中车株洲电力机车研究所有限公司
ISSN:
2096-5427
CN:
43-1546/TM
出版周期:
双月刊
邮编:
地址:
湖南省株洲市
出版文献量(篇)
1119
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目录
1.
大功率半导体器件的可靠性评估
作者:
张明
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
1-9
摘要:
文章从可靠性的数学、物理基础出发,描述了现代可靠性工程,介绍了功率半导体的可靠性问题.以4045型IGCT器件为例,阐述了3种重要的加速试验,得到了相应的失效率曲线,给出了计算实例.
2.
一种在超调区快速响应的PMSM无位置传感器控制策略
作者:
何亚屏 冯江华 文宇良 石敏 肖磊 许峻峰
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
10-14,35
摘要:
分析了永磁同步电机(PMSM)无位置传感器在超调区不稳定的原因;提出了一种基于谐波电流估计器的新型PMSM无位置传感器控制策略,它包含六步电压法的转矩控制器、谐波电流估计器和扩展反电动势观测...
3.
直流母线支撑电容纹波电流研究
作者:
应婷 张宇 梁志伟 王坚
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
15-19,48
摘要:
直流母线支撑电容的纹波电流是影响变流器产品寿命的关键因素之一.为了节约能源、扩充容量、优化设计等,工业生产时通常采用多个电机共用一条直流母线的结构.文章分析了变流器直流母线的理想纹波电流的形...
4.
三电平NPC逆变器共模电压的抑制
作者:
丁官元 李凯 李银玲
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
20-22
摘要:
文章以三电平中点箝位型(NPC)逆变器为研究对象,分析了传统三电平的SVPWM算法、降低共模电压的SVPWM算法、消除共模电压的SVPWM算法共3种不同控制策略对共模电压的抑制作用,最后给出...
5.
基于XMC4500控制的移相全桥ZVS DC/DC变换器
作者:
王志福 王育浦
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
23-26
摘要:
分析了数字控制相比于模拟控制对系统整体性能所具有的优点,介绍了移相全桥DC/DC变换器PWM信号所具有的特点,提出了以XMC4500为基础的数字控制方案的硬件设计和双闭环控制流程并介绍了数字...
6.
三相四线电压型PWM整流器的控制策略
作者:
邹娟
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
27-30
摘要:
针对在线式不间断电源系统(UPS)中的AC/DC整流器,设计了一套基于dqo轴控制的三相四线电压型PWM整流器的控制策略.介绍了该整流器的拓扑;推导了其主电路的数学模型;给出了带有正负母线电...
7.
逆导IGCT补偿型PNP隔离技术研究
作者:
吴煜东 唐龙谷 张明 陈勇民 陈芳林 高建宁
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
31-35
摘要:
逆导IGCT器件的关键技术在于实现GCT与FRD间的隔离.对比现有隔离技术,提出了一种补偿型横向PNP结隔离方法;经Silvaco仿真分析后,在4英寸与6英寸GCT芯片上开展了工艺和测试验证...
8.
SiC高温氧化工艺开发和界面特性分析
作者:
李诚瞻 蒋华平 许恒宇 赵艳黎
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
36-38
摘要:
将n型4H-SiC (0001)偏4°外延材料在1 200℃、1 250℃、1 300℃和1 350 ℃等4种温度条件下进行高温热氧化,生成SiO2薄膜;通过测试MOS电容结构的C-V和I-...
9.
机车电缆屏蔽层接地分析与仿真
作者:
杨德勇 闵建军
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
39-42
摘要:
机车上电力电子设备是系统主要干扰源之一,设计中常采用屏蔽电缆来防护干扰.本文针对常见机车干扰提出屏蔽层所需采用的最佳接地方式,阐述其干扰防护的基本原理并进行仿真验证,对工程实际中电缆接地方式...
10.
地铁车辆辅助变流器平台设计
作者:
刘清 王明 赵清良 魏周艳
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
43-48
摘要:
介绍了地铁车辆辅助变流器平台化产品的技术参数、主电路、总体结构及特点,并阐述了提升辅助变流器性能的设计方法.
11.
并联有源电力滤波器专家PID控制及仿真分析
作者:
刘威葳
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
49-51
摘要:
为了有效提高并联有源电力滤波器(APF)稳态跟踪精度、保证谐波电流的准确补偿,提出了一种用于并联型APF的专家PID控制方法.基于经典控制理论所设计的控制器其输出均存在固有静态误差,所提出的...
12.
一种基于IGBT的金属钽加热用大电流直流断路器的研制
作者:
万超群 奉琴 许鹏 陈彦
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
52-55
摘要:
在使用轫致辐射二极管产生X射线的应用中,需要可控的稳定直流电流对其阳极材料——金属钽进行加热.加热电流来自于大容量低压蓄电池,电流值需要到2kA以上.为此,文章研制了一套基于功率IGBT的大...
13.
来稿须知
作者:
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
55
摘要:
14.
基于PWM整流的商用中央空调变频器的研究与开发
作者:
刘海涛 应婷 梁志伟 王婷
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
56-60,65
摘要:
介绍了一种基于PWM整流的商用中央空调变频器的工作原理、主电路、主要技术参数和总体结构,详细阐述了该变频器的主要特点和创新点.系统联调试验表明,该变频器在技术上能满足中央空调传动系统要求.
15.
永磁同步电机铁耗的计算与研究
作者:
彭俊 李益丰 符敏利
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年1期
页码: 
61-65
摘要:
提出了一种考虑旋转磁化及谐波磁场、基于电磁场有限元分析及Bertotti铁耗计算模型的永磁同步电机铁耗计算方法,并以某永磁同步电机产品为研究对象分析了定子槽口宽度、气隙长度、偏心距及不同供电...
16.
The History and Development of IGBT
作者:
Paul Taylor
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
1-5,11
摘要:
17.
IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展
作者:
刘国友 吴义伯 戴小平 李道会 王彦刚
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
6-11
摘要:
随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高.文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端...
18.
电动汽车电机控制器的发展
作者:
余军 吴春冬 朱世武 李云 焦明亮
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
12-17
摘要:
分析了4种典型Si-IGBT电动汽车电机控制器的结构与功率模块封装,介绍了SiC电机控制器研究现状,并对电机控制器未来发展趋势进行了总结.
19.
IGBT门极驱动技术现状和发展趋势
作者:
余军 吴春冬 朱世武 李云 焦明亮
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
18-23
摘要:
分析了IGBT的工作特点及其对门极驱动器提出的新要求,并通过对当前主流门极驱动器供应商的产品的举例分析,对门极驱动技术的现状和发展趋势进行了研讨和总结.
20.
三电平NPC拓扑结构中功率IGBT器件的应用和分析
作者:
王恒 赵振波
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
24-29,34
摘要:
讨论了三电平NPC拓扑结构的基本工作原理和相应的换流路径;考虑到IGBT模块对直流电压稳定性的要求,给出在给定故障率条件下允许长期运行的最大直流母线电压;分析了器件芯片技术及封装的特点,给出...
21.
HiPak6.5kV IGBT的开关特性及门极驱动电路对其影响
作者:
Arnost Kopta Evgeny Tsyplakov Joerg Berner Makan Chen Raffael Schnell Sven Klaka 洪鹏 王浩
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
30-34
摘要:
介绍了ABB对HiPak 6500V/750A IGBT模块反向恢复特性的研究,首创性地就di/dt对二极管和与之反向并联的IGBT的正、反向恢复特性的影响进行了研究;并分析了di/dt对I...
22.
IGBT并联应用技术研究
作者:
张东辉 杨光 欧阳柳 谢舜蒙 马龙昌 魏海山
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
35-39
摘要:
介绍了IGBT元件并联均流的主要影响因素,针对1 200 V/900A功率等级IGBT并联应用设计了IGBT并联驱动器、低感母排和散热器,并进行了相应的试验研究.研究结果表明,该并联方案均流...
23.
SiC混合IGBT器件应用研究
作者:
唐威 张东辉 忻力 欧阳柳 陈玉其 魏海山
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
40-43
摘要:
SiC功率器件具有高频、高效率、高功率、耐高温、抗辐射等优点.文章介绍了目前SiC功率器件应用情况,阐述了SiC pn结肖特基势垒(JBS)、SiC-MOSFET以及SiC混合IGBT的特性...
24.
基于电磁隔离的1.7kV IGBT驱动器
作者:
张东辉 杨光 欧阳柳 谢舜蒙 魏海山
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
44-46,61
摘要:
分析了IGBT驱动器应该具备的基本功能,设计了一种基于电磁隔离的IGBT驱动器,并进行了斩波与短路试验研究.试验结果表明,该驱动器驱动特性和保护性能好,能满足1.7 kV IGBT器件应用要...
25.
大功率模块用水冷散热器的数值模拟与试验研究
作者:
王幸智 王晓元 王雄 马伯乐
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
47-51
摘要:
通过数值模拟与试验研究相结合的方法,对某电力机车牵引变流器大功率模块水冷散热器的性能进行了研究.结果表明,不同的IGBT元件模型对散热器的温升及热阻计算影响较大,发热模块模型计算出的散热器最...
26.
具有优化沟槽HiGT结构的3.3kV/1800A IGBT及其模块优化设计
作者:
Katsuaki Saito Katsunori Azuma Takayuki Kushima Yasuhiro Nemoto Yoshihiko Koike
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
52-56
摘要:
日立公司开发了具有最高电流等级的3.3kV/1800A IGBT模块,其额定电流等级比现有同尺寸、同电压等级常规产品提高了20%.通过采用优化沟槽HiGT结构,降低了器件功耗,同时优化了模块...
27.
沟槽栅IGBT关键技术研究
作者:
余伟 刘根 杨鑫著 罗海辉 谭灿健 黄建伟
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
57-61
摘要:
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域.针对沟槽栅IGBT技术的挑战(主要包含沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽多晶硅填充等),研究并开...
28.
IGBT模块功率损耗的产生机理、计算及模拟
作者:
Jones Steve 刘国友 吴义伯 戴小平 王彦刚
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
62-66
摘要:
分析了IGBT模块功耗的来源,根据其导通和开关波形讨论了功耗的定义和计算方法;介绍了如何根据模块数据手册估算IGBT及其续流二极管(FWD)的功耗,以及利用PSIM软件模拟模块在应用系统中的...
29.
应力对IGBT电性能的影响及应力来源研究
作者:
唐龙谷 江冰松
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
67-70
摘要:
基于形变势理论,分析了应力下硅基半导体的禁带变窄效应和迁移率增强效应.建立了IGBT芯片模型,研究了应力对IGBT电性能的影响,分析了IGBT的应力来源,可为IGBT应力控制提供一定的参考.
30.
信息动态
作者:
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
70,后插1,前插2
摘要:
共
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控制与信息技术基本信息
刊名
控制与信息技术
主编
曾用名
变流技术与电力牵引|大功率变流技术(-2017.12)
主办单位
中车株洲电力机车研究所有限公司
主管单位
出版周期
双月刊
语种
chi
ISSN
2096-5427
CN
43-1546/TM
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