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控制与信息技术2015年第2期出版文献
出版文献量(篇)
1119
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13
控制与信息技术
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投稿
KONGZHI YU XINXI JISHU
曾用名:
变流技术与电力牵引|大功率变流技术(-2017.12)
影响因子
0.2801
主办单位:
中车株洲电力机车研究所有限公司
ISSN:
2096-5427
CN:
43-1546/TM
出版周期:
双月刊
邮编:
地址:
湖南省株洲市
出版文献量(篇)
1119
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目录
1.
The History and Development of IGBT
作者:
Paul Taylor
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
1-5,11
摘要:
2.
IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展
作者:
刘国友 吴义伯 戴小平 李道会 王彦刚
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
6-11
摘要:
随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高.文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端...
3.
电动汽车电机控制器的发展
作者:
余军 吴春冬 朱世武 李云 焦明亮
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
12-17
摘要:
分析了4种典型Si-IGBT电动汽车电机控制器的结构与功率模块封装,介绍了SiC电机控制器研究现状,并对电机控制器未来发展趋势进行了总结.
4.
IGBT门极驱动技术现状和发展趋势
作者:
余军 吴春冬 朱世武 李云 焦明亮
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
18-23
摘要:
分析了IGBT的工作特点及其对门极驱动器提出的新要求,并通过对当前主流门极驱动器供应商的产品的举例分析,对门极驱动技术的现状和发展趋势进行了研讨和总结.
5.
三电平NPC拓扑结构中功率IGBT器件的应用和分析
作者:
王恒 赵振波
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
24-29,34
摘要:
讨论了三电平NPC拓扑结构的基本工作原理和相应的换流路径;考虑到IGBT模块对直流电压稳定性的要求,给出在给定故障率条件下允许长期运行的最大直流母线电压;分析了器件芯片技术及封装的特点,给出...
6.
HiPak6.5kV IGBT的开关特性及门极驱动电路对其影响
作者:
Arnost Kopta Evgeny Tsyplakov Joerg Berner Makan Chen Raffael Schnell Sven Klaka 洪鹏 王浩
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
30-34
摘要:
介绍了ABB对HiPak 6500V/750A IGBT模块反向恢复特性的研究,首创性地就di/dt对二极管和与之反向并联的IGBT的正、反向恢复特性的影响进行了研究;并分析了di/dt对I...
7.
IGBT并联应用技术研究
作者:
张东辉 杨光 欧阳柳 谢舜蒙 马龙昌 魏海山
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
35-39
摘要:
介绍了IGBT元件并联均流的主要影响因素,针对1 200 V/900A功率等级IGBT并联应用设计了IGBT并联驱动器、低感母排和散热器,并进行了相应的试验研究.研究结果表明,该并联方案均流...
8.
SiC混合IGBT器件应用研究
作者:
唐威 张东辉 忻力 欧阳柳 陈玉其 魏海山
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
40-43
摘要:
SiC功率器件具有高频、高效率、高功率、耐高温、抗辐射等优点.文章介绍了目前SiC功率器件应用情况,阐述了SiC pn结肖特基势垒(JBS)、SiC-MOSFET以及SiC混合IGBT的特性...
9.
基于电磁隔离的1.7kV IGBT驱动器
作者:
张东辉 杨光 欧阳柳 谢舜蒙 魏海山
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
44-46,61
摘要:
分析了IGBT驱动器应该具备的基本功能,设计了一种基于电磁隔离的IGBT驱动器,并进行了斩波与短路试验研究.试验结果表明,该驱动器驱动特性和保护性能好,能满足1.7 kV IGBT器件应用要...
10.
大功率模块用水冷散热器的数值模拟与试验研究
作者:
王幸智 王晓元 王雄 马伯乐
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
47-51
摘要:
通过数值模拟与试验研究相结合的方法,对某电力机车牵引变流器大功率模块水冷散热器的性能进行了研究.结果表明,不同的IGBT元件模型对散热器的温升及热阻计算影响较大,发热模块模型计算出的散热器最...
11.
具有优化沟槽HiGT结构的3.3kV/1800A IGBT及其模块优化设计
作者:
Katsuaki Saito Katsunori Azuma Takayuki Kushima Yasuhiro Nemoto Yoshihiko Koike
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
52-56
摘要:
日立公司开发了具有最高电流等级的3.3kV/1800A IGBT模块,其额定电流等级比现有同尺寸、同电压等级常规产品提高了20%.通过采用优化沟槽HiGT结构,降低了器件功耗,同时优化了模块...
12.
沟槽栅IGBT关键技术研究
作者:
余伟 刘根 杨鑫著 罗海辉 谭灿健 黄建伟
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
57-61
摘要:
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域.针对沟槽栅IGBT技术的挑战(主要包含沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽多晶硅填充等),研究并开...
13.
IGBT模块功率损耗的产生机理、计算及模拟
作者:
Jones Steve 刘国友 吴义伯 戴小平 王彦刚
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
62-66
摘要:
分析了IGBT模块功耗的来源,根据其导通和开关波形讨论了功耗的定义和计算方法;介绍了如何根据模块数据手册估算IGBT及其续流二极管(FWD)的功耗,以及利用PSIM软件模拟模块在应用系统中的...
14.
应力对IGBT电性能的影响及应力来源研究
作者:
唐龙谷 江冰松
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
67-70
摘要:
基于形变势理论,分析了应力下硅基半导体的禁带变窄效应和迁移率增强效应.建立了IGBT芯片模型,研究了应力对IGBT电性能的影响,分析了IGBT的应力来源,可为IGBT应力控制提供一定的参考.
15.
信息动态
作者:
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
70,后插1,前插2
摘要:
16.
不竭创新的IGBT
作者:
冯江华
刊名:
控制与信息技术
发表期刊:
2015年2期
页码: 
前插1
摘要:
功率半导体器件涉及半导体物理学和电力电子学等,是传统产业的转型升级与战略性新兴产业的基础性关键技术.新能源、节能环保、高端装备制造等产业的发展,都离不开以IGBT为代表的功率半导体器件及其高...
控制与信息技术基本信息
刊名
控制与信息技术
主编
曾用名
变流技术与电力牵引|大功率变流技术(-2017.12)
主办单位
中车株洲电力机车研究所有限公司
主管单位
出版周期
双月刊
语种
chi
ISSN
2096-5427
CN
43-1546/TM
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