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微电子学2015年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构.在双凹型4H-SiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 为实现热电式MEMS微波功率传感器与电容式MEMS微波功率传感器的兼容,得到一种性能优良的双通道MEMS微波功率传感器,需要对MEMS悬臂梁的匹配特性进行分析与设计.根据MEMS悬臂梁的一维...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 提出了一种采用Advantest 93000型自动测试设备,配合外挂高性能信号源SMA100A,对8位1.5 GS/s超高速ADC进行动态参数测试的方案.该方案使用外挂信号源,提供采样时钟和...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 基于CSMC 0.5μm BCD工艺,设计了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路.此电路可以在较宽电源电压(4～36 V)范围内实现较小的温度系数变化,-40℃～125℃范围内的温度系数为8....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 介绍了一种基于混合集成电路工艺设计的DC-DC变换器电路.该电路采用他驱式同步整流死区控制技术,通过ANSOFT PExprt及Maxwell软件优化变压器和版图设计,在9～36 V输入电压...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 基于MOS管在亚阈值区、线性区和饱和区的不同导电特性,采用TSMC 0.18μmCMOS工艺,设计了一种全MOS结构的电压基准源.为了改进核心电路,通过设计并优化预抑制电路,使整个电路实现了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 采用折返式电路,设计了一种适用于USB电源管理芯片的双门限限流保护电路.通过改变参考电流,进而改变比较器参考电压的方式,使系统在发生过流时输出恒定电流,发生短路时实现门限降低,以达到更低的恒...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 通过MATLAB对锁相环进行系统建模与分析,采用改进型宽摆幅低噪声电荷泵结构,结合2位开关电容阵列技术与RC低通滤波技术,设计了一种低相位噪声锁相环频率合成器.基于SMIC 0.18μm C...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 设计了一种用于超高速A/D转换器的时钟稳定电路.利用全差分连续时间积分器将差分时钟信号的占空比量化为电压信号,再通过跨导放大器产生控制电流来调整输出时钟的共模电平,达到调整输出时钟占空比的目...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 对高速分频器的注入锁定特性进行了研究,并实现了一个基于电流模逻辑的分频器.该分频器采用了电感峰值技术,分频范围可达25～37.3 GHz,电源电压为1.2V,功耗为24 mW.芯片采用TSM...
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101. 一种电流型非线性补偿带隙基准的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 设计了一种基于CMOS电流型的带隙基准电路.利用双极型晶体管基极-发射极电压的非线性,对传统带隙基准电路存在的非线性项进行补偿.采用轨到轨的运算放大器,增大了运放的输入范围.电路基于CSMC...
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102. 带使能端及保护电路的LDO设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 设计了一种带有使能端以及保护电路的低压差线性稳压器(LDO).这种基于传统结构、带有使能端的LDO可在系统电路不工作时被关断,以减小电路功耗.使能信号可由数字模块输出.该LDO带有过流保护、...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 基于0.5 μm BCD工艺,设计了一种频率可调的时钟振荡器.通过环路控制,该振荡器的频率可以跟随输入线电压频率的变化,二者之间满足定量关系.在TRIAC调光的LED驱动芯片中,随输入线电压...
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104. 一种高CMRR高增益运算放大器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 设计了一种基于TSMC 0.5 μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器.针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性.该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求...
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105. 可集成于汽车电压调节器的高性能振荡电路刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 设计了一种适用于汽车电子电压调节器的高性能振荡电路.在传统张弛振荡电路结构的基础上增加工艺补偿级和温度补偿级,利用自补偿技术对温度、电源电压和工艺进行检测并校准.基于CSMC 40 V BC...
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106. 一种电流自适应温度的LED驱动电路刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 基于0.5 μm CMOS工艺,设计了一种电流可随系统温度变化自适应调节的LED驱动电路.通过设计自适应调控模块,实现LED驱动可自适应工作于正常恒流输出、自适应调控输出、滞回关断保护三种状...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 从级联积分梳状滤波器(CIC)的原理出发,考虑到红外热释电传感器(PIR)采集信号的频率变化范围,设计了用于PIR控制芯片并对PIR传感器采集信号进行滤波的CIC滤波器.在MODSIM中对滤...
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108. 一种有效实现IC时序收敛的方法刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 针对ASIC芯片物理设计中传统时钟树综合在高频下难以满足时序收敛的问题,提出了一种自下而上与有用时钟偏移相结合的时钟树综合方法.基于TSMC 0.152 μm Logic 1P5M工艺,使用...
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109. 单粒子瞬态脉冲的片上测量刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 提出了一套适用于组合逻辑电路的单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET)特性的片上测量方案.基于中国科学院微电子研究所350 nm SOI工艺,设计了一款集脉冲收集、...
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110. 基于肖特基势垒二极管整流的功率指示计设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 设计了一种适用于低中频接收机的功率指示计.采用肖特基势垒二极管作为整流器件,降低了电路设计的复杂度,减小了系统功耗;功率指示计中的限幅放大器采用交流耦合的方式,消除了输入直流失调的影响,降低...
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111. 高精度电流模式四象限乘法器的设计与应用刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 在AB类电流镜基础上,采用两个跨导线性环电路,设计了一款高精度电流模式四象限模拟乘法器.通过引入参考电流,增大了乘法器输入输出范围.将提出的乘法器作为增益控制单元与基本差分式OTA相连,实现...
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112. 准谐振正激变换器零电压开关设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 准谐振有源箝位正激变换器的有源箝位电路与常规的有源箝位正激变换器的结构类似,但实际工作过程存在许多差异.通过分析准谐振有源箝位正激变换器的工作过程,研究了准谐振有源箝位正激变换器的开关管零电...
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113. 抗功耗攻击的逻辑电路研究刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 通过分析双轨电路的主要功耗泄露类型,评估了传统抗功耗攻击逻辑电路的安全性,指出其安全性漏洞.针对其漏洞,对LBDL电路进行改进,并提出了一种将改进后的电路与掩码技术相结合的MLBDL电路.H...
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114. 双域可重构CIOS模乘器的研究与设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 为提高ECC处理器中模乘的运算速度,并支持长度可重构的双域(素域和二元域)模乘计算,分析了CIOS模乘算法的并行性,提出了适用于硬件并行加速的双参数CIOS算法,设计了6级流水线以及多字数据...
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115. 一种基于线性增强TDC的ADPLL设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 锁相环作为片内高速时钟的提供者,在现代电路中至关重要.提出了一种全数字锁相环的设计方案,输出频率为250 MHz,锁定时间为2μs,峰峰抖动为76 ps,与传统锁相环相比,具有面积小、功耗低...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 在空间辐射环境下,存储单元对单粒子翻转的敏感性日益增强.通过比较SRAM的单粒子翻转效应相关加固技术,在传统EDAC技术的基础上,增加少量硬件模块,有效利用双端口SRAM的端口资源,提出了一...
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117. 低功耗UHF频段RFID标签数字基带电路刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 通过对UHF频段EPC Global Class1 Generate2协议进行分析,详细论述了符合协议要求的被动式无源射频身份识别(RFID)标签的数字电路系统方案,并提出了一种新颖的、针对...
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118. 一种新的大容量SRAM编译器设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 介绍了一种大容量的SRAM编译器设计技术.根据SRAM容量和结构,提出了新的建模方案,并建立更优化的时序和功耗模型.同时,根据大容量SRAM在面积和性能上的需求,选择不同的译码器和拼接结构,...
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119. ECG系统中低功耗高线性Gm-C滤波器刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线心电图检测系统的5阶Gm-C巴特沃斯低通滤波器,滤波器的综合采用流图法模拟无源LC梯形网络结构.基于MOS晶体管的亚阈值导电性以...
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120. 功能覆盖率驱动的自适应遗传算法验证技术刊名： 微电子学发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 根据不同功能测试点在芯片代码中的逻辑深度与相应测试向量覆盖到的测试点多少的关系,对不同测试点设置了相应的权重,提出一种基于自适应遗传算法的激励向量生成方法.实验结果表明,该方法能减少编写约束...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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