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微电子学期刊
出版文献量（篇）
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21140

微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号24所
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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  • 181. 基于改进Mel滤波器组的声纹特征提取SoC设计
    作者： 张景林 李青龙 苗凤娟 郭琴 陶佰睿
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  785-788
    摘要： 针对说话人声纹身份认证一体化设计需求,利用曲线拟合方法改进Mel滤波器组,开展声纹特征参数提取的SoC设计研究.首先选取MFCC,IMFCC,MidMFCC的Mel频率刻度上的平均值作为拟合...
  • 182. 极端低温下硅基器件和电路特性研究进展
    作者： 李博 毕津顺 罗家俊 解冰清
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  789-795
    摘要： 讨论了在极端低温下,硅基半导体在器件级和电路级特性的研究进展.在器件级,分析了极端低温下体硅器件和SOI器件常规电学特性的异常变化,讨论了一些只在极端低温下出现的特殊效应,如载流子冻结效应,...
  • 183. 5管SRAM单元的抗辐射性能研究
    作者： 吴振宇 宋睿强 陈书明 黄鹏程
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  796-799
    摘要： 利用3D TCAD仿真,在45 nm体硅工艺下,对5管SRAM单元和传统6管SRAM单元的抗辐射性能进行了对比研究.结果表明,5管SRAM单元的敏感面积更小,由该单元构成的SRAM阵列更难发...
  • 184. 半导体器件金铝键合的寿命研究
    作者： 李洵 王立新 王路璐 罗家俊 韩郑生 高博
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  800-803
    摘要： 金铝键合失效是MOSFET器件常见的失效模式之一,主要是由于金属间化合物的生成,影响了金铝键合的接触电性能,从而导致键合强度下降,接触电阻升高.针对这种失效模式,进行了三种不同高温条件下的加...
  • 185. ESD应力下深亚微米GGNMOS二次击穿物理级建模仿真
    作者： 刘瑶 高英俊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  804-808
    摘要： 基于静电放电(ESD)应力下深亚微米栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)二次击穿的物理特性,将建立的热击穿温度模型、热源模型与温度相关参数模型相结合,提出了一种新的电热模型,并进行了优化....
  • 186. 一种改进的SOI Flash存储器
    作者： 何源君 孙跃 王媛媛 章纲 陈德媛
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  809-811,816
    摘要： 提出了一种缩短SOI Flash存储器浮栅长度的改进结构.对采用改进结构的器件进行仿真,结果表明,改进型结构与传统型结构相比,其存储窗口由3.7V提升到4.9V,提升了32％;在相同的阈值电...
  • 187. 超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究
    作者： 周锌 庄翔 张波 杨文 王卓 陈钢
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  812-816
    摘要： 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD) LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究.通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RES...
  • 188. 部分耗尽SOI器件背栅界面陷阱密度的提取
    作者： 刘魁勇 曾传滨 罗家俊 赵洪利 韩郑生 高林春
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  817-819,828
    摘要： 利用基于复合理论的直流电流电压法,提取SOI器件背栅界面陷阱密度.给出了具体的测试原理,以0.13μm SOI工艺制造的部分耗尽NMOS和PMOS器件为测试对象,分别对两种器件的背界面复合电...
  • 189. 多种结构硅通孔热应力仿真分析
    作者： 张国华 杨轶博 薛彤
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  820-824
    摘要： 硅通孔(TSV)技术是实现三维封装的一种关键技术.通过有限元分析方法,研究了三种结构硅通孔的热应力,提出聚对二甲苯填充结构在热应力方面的优越性.为了进一步研究聚对二甲苯填充结构的TSV热应力...
  • 190. LDMOS热阻的电学法测试与分析
    作者： 万宁 丛密芳 李永强 李科 杜寰 王魁松
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2015年6期
    页码:  825-828
    摘要： 基于结构函数理论,运用电学测试法,提取封装LDMOS导热路径上各层材料的热阻值,以及管壳与恒温平台之间的接触热阻值.对各层热阻进行分析,发现焊料层的热阻远大于理论值,提出了一种减小焊料层热阻...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

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1. 中文核心期刊
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