微电子学期刊
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微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 刘增鑫 华浩翔 张国俊 贺娅君 赵少敏 韩雨衡
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  417-420
    摘要: 基于CSMC 0.5μm BCD工艺,设计了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路.此电路可以在较宽电源电压(4~36 V)范围内实现较小的温度系数变化,-40℃~125℃范围内的温度系数为8....
  • 作者: 尹华 柴汉冬
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  421-424,428
    摘要: 介绍了一种基于混合集成电路工艺设计的DC-DC变换器电路.该电路采用他驱式同步整流死区控制技术,通过ANSOFT PExprt及Maxwell软件优化变压器和版图设计,在9~36 V输入电压...
  • 作者: 周斌腾 唐俊龙 肖正 谢海情
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  425-428
    摘要: 基于MOS管在亚阈值区、线性区和饱和区的不同导电特性,采用TSMC 0.18μmCMOS工艺,设计了一种全MOS结构的电压基准源.为了改进核心电路,通过设计并优化预抑制电路,使整个电路实现了...
  • 作者: 冯全源 谭玉麟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  429-432
    摘要: 采用折返式电路,设计了一种适用于USB电源管理芯片的双门限限流保护电路.通过改变参考电流,进而改变比较器参考电压的方式,使系统在发生过流时输出恒定电流,发生短路时实现门限降低,以达到更低的恒...
  • 作者: 李通 桂小琰 陈志铭
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  433-436,440
    摘要: 通过MATLAB对锁相环进行系统建模与分析,采用改进型宽摆幅低噪声电荷泵结构,结合2位开关电容阵列技术与RC低通滤波技术,设计了一种低相位噪声锁相环频率合成器.基于SMIC 0.18μm C...
  • 作者: 安鹏 桂小琰 陈志铭
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  441-443,448
    摘要: 对高速分频器的注入锁定特性进行了研究,并实现了一个基于电流模逻辑的分频器.该分频器采用了电感峰值技术,分频范围可达25~37.3 GHz,电源电压为1.2V,功耗为24 mW.芯片采用TSM...
  • 作者: 尹桂珠 徐鹏程 韩志刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  444-448
    摘要: 设计了一种基于CMOS电流型的带隙基准电路.利用双极型晶体管基极-发射极电压的非线性,对传统带隙基准电路存在的非线性项进行补偿.采用轨到轨的运算放大器,增大了运放的输入范围.电路基于CSMC...
  • 作者: 李力南 欧文 毛少博 汪雪琴 翟鹏飞
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  449-453
    摘要: 设计了一种带有使能端以及保护电路的低压差线性稳压器(LDO).这种基于传统结构、带有使能端的LDO可在系统电路不工作时被关断,以减小电路功耗.使能信号可由数字模块输出.该LDO带有过流保护、...
  • 作者: 冯玲玲 周英娜 李威 郭宝明
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  454-456,460
    摘要: 基于0.5 μm BCD工艺,设计了一种频率可调的时钟振荡器.通过环路控制,该振荡器的频率可以跟随输入线电压频率的变化,二者之间满足定量关系.在TRIAC调光的LED驱动芯片中,随输入线电压...
  • 作者: 何泽炜 张国俊 郭俊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  457-460
    摘要: 设计了一种基于TSMC 0.5 μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器.针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性.该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求...
  • 作者: 张凤玲 张辉 李佐 王建卫
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  461-464
    摘要: 设计了一种适用于汽车电子电压调节器的高性能振荡电路.在传统张弛振荡电路结构的基础上增加工艺补偿级和温度补偿级,利用自补偿技术对温度、电源电压和工艺进行检测并校准.基于CSMC 40 V BC...
  • 作者: 曾以成 武世明 陶亮
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  465-468,473
    摘要: 基于0.5 μm CMOS工艺,设计了一种电流可随系统温度变化自适应调节的LED驱动电路.通过设计自适应调控模块,实现LED驱动可自适应工作于正常恒流输出、自适应调控输出、滞回关断保护三种状...
  • 作者: 徐进 李泽宏 江猛 王子欧
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  469-473
    摘要: 从级联积分梳状滤波器(CIC)的原理出发,考虑到红外热释电传感器(PIR)采集信号的频率变化范围,设计了用于PIR控制芯片并对PIR传感器采集信号进行滤波的CIC滤波器.在MODSIM中对滤...
  • 作者: 万培元 刘文斌 张万荣 林平分 王成龙 祝雪菲
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  474-478,483
    摘要: 针对ASIC芯片物理设计中传统时钟树综合在高频下难以满足时序收敛的问题,提出了一种自下而上与有用时钟偏移相结合的时钟树综合方法.基于TSMC 0.152 μm Logic 1P5M工艺,使用...
  • 作者: 刘海南 向一鸣 周玉梅 蒋见花
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  479-483
    摘要: 提出了一套适用于组合逻辑电路的单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET)特性的片上测量方案.基于中国科学院微电子研究所350 nm SOI工艺,设计了一款集脉冲收集、...
  • 作者: Amara AMARA 俞航 刘少华 李琰 肖知明
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  484-487
    摘要: 设计了一种适用于低中频接收机的功率指示计.采用肖特基势垒二极管作为整流器件,降低了电路设计的复杂度,减小了系统功耗;功率指示计中的限幅放大器采用交流耦合的方式,消除了输入直流失调的影响,降低...
  • 作者: 吴湘锋 张黎黎 李志军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  488-491,496
    摘要: 在AB类电流镜基础上,采用两个跨导线性环电路,设计了一款高精度电流模式四象限模拟乘法器.通过引入参考电流,增大了乘法器输入输出范围.将提出的乘法器作为增益控制单元与基本差分式OTA相连,实现...
  • 作者: 吴限 王强 蒋云杨
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  492-496
    摘要: 准谐振有源箝位正激变换器的有源箝位电路与常规的有源箝位正激变换器的结构类似,但实际工作过程存在许多差异.通过分析准谐振有源箝位正激变换器的工作过程,研究了准谐振有源箝位正激变换器的开关管零电...
  • 作者: 尤帅 张波 徐洪闪 甄少伟 甘武兵
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  507-511
    摘要: 锁相环作为片内高速时钟的提供者,在现代电路中至关重要.提出了一种全数字锁相环的设计方案,输出频率为250 MHz,锁定时间为2μs,峰峰抖动为76 ps,与传统锁相环相比,具有面积小、功耗低...
  • 作者: 杨根庆 林敏 陈强 陈晨
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  512-515,520
    摘要: 在空间辐射环境下,存储单元对单粒子翻转的敏感性日益增强.通过比较SRAM的单粒子翻转效应相关加固技术,在传统EDAC技术的基础上,增加少量硬件模块,有效利用双端口SRAM的端口资源,提出了一...
  • 作者: 田翠翠 舒海翔 陈刚 陈剑
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  516-520
    摘要: 通过对UHF频段EPC Global Class1 Generate2协议进行分析,详细论述了符合协议要求的被动式无源射频身份识别(RFID)标签的数字电路系统方案,并提出了一种新颖的、针对...
  • 作者: 黎轩
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  521-524
    摘要: 介绍了一种大容量的SRAM编译器设计技术.根据SRAM容量和结构,提出了新的建模方案,并建立更优化的时序和功耗模型.同时,根据大容量SRAM在面积和性能上的需求,选择不同的译码器和拼接结构,...
  • 作者: 吴嘉士 张千文 张荣晶 陈俊龙 黄继伟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  525-528,532
    摘要: 采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线心电图检测系统的5阶Gm-C巴特沃斯低通滤波器,滤波器的综合采用流图法模拟无源LC梯形网络结构.基于MOS晶体管的亚阈值导电性以...
  • 作者: 吴剑浪 康怀祺 石景恺
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  529-532
    摘要: 根据不同功能测试点在芯片代码中的逻辑深度与相应测试向量覆盖到的测试点多少的关系,对不同测试点设置了相应的权重,提出一种基于自适应遗传算法的激励向量生成方法.实验结果表明,该方法能减少编写约束...
  • 作者: 张为 田长松 郭峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  533-536
    摘要: 提出一种基于双重截断的JPEG 2000码率控制算法,并给出其VLSI架构.双重截断包括基于熵估计的码率预分配的粗略截断和易于硬件实现的Tier-2快速截断.首先根据各个码块的熵估计值在所有...
  • 作者: 任迪远 孙静 崔江维 文林 李豫东 汪波 玛丽娅 郭旗
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  537-540,544
    摘要: 为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验.分析了电子...
  • 作者: 何先良 李亮 李飞 梁东升 王强栋 胡顺欣 邓建国 郎秀兰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  541-544
    摘要: 设计并制作了一种50 V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET).在P波段、工作电压50 V、工作脉宽100 μs和占空比10%的工作条件下,该器...
  • 作者: 李真 罗俊 邓永芳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  545-547,556
    摘要: 随着国产DC-DC混合电源产品的快速发展,其寿命越来越长,如何快速、准确地评价产品的寿命成为一项十分重要且紧迫的问题.瓷介电容和厚膜电阻是DC-DC混合电源中最容易发生失效的部位,是影响DC...
  • 作者: 何志刚 周庆波 梁堃 王晓敏 龚国虎
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  548-551
    摘要: 对倒装芯片封装(Flip-Chip Package)器件开封技术进行了研究.总结了倒装芯片封装的类型、结构和封装材料;从理论上证明了倒装芯片封装器件开封的可能,并找出了限制开封的制约因素;提...
  • 作者: 张琳 蒲璞 黄成
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  552-556
    摘要: 混合信号测试系统一般用于射频或微波电路S参数的测量,但由于厂家无完整的校准方案和软件支持,提供的校准方案只能校准到特定的测量端面,实际测试时端口需要延伸;并且,系统将引入较大的失配和损耗误差...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

期刊荣誉
1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

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