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微电子学2015年第6期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 由于在同步Nyquist折叠接收机结构中使用了多分量本振及对应的数字信号处理算法,单个双通道模数转换器所接收的信号频率范围可超过其Nyquist采样带宽.针对同步Nyquist折叠接收机结构...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 采用Xilinx Virtex-5 FPGA芯片,实现了一种高精度、多通道时间数字转换器的设计.每个通道配有一条抽头延迟线,每条延迟线由64个快速超前进位链(CARRY4)组成.布线后,延迟...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种改进的2位全并行A/D转换器.ADC的输入信号采用差分输入形式,差模输入信号经过源跟随器后直接进入比较器,去除了参考电压所需的电阻网络和模拟采样保...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 为了保证运算放大器在深亚微米量级也能提供足够的增益,三级运算放大器的研究成为近年的热点内容.基于SMIC 0.18μm工艺设计了一种三级运算放大器,前两级采用折叠共源共栅结构,在提供足够直流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 设计了一种应用于流水线ADC中的全差分增益提升运算放大器.该运放的单位增益带宽受ADC采样速率的控制而自动调节.优化了流水线ADC在不同采样速率下的功耗,提高了ADC的效率.电路采用Char...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 采用增益提高技术,设计了一种高增益全差分运算放大器,其主运放和两个辅助运放均为全差分折叠式共源共栅结构,并带有连续时间共模反馈电路.详细地分析了由增益增强结构为此运放带来的零极点对.该运算放...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 针对射频前端发射距离的不确定性,设计了一款基于0.18 μm CMOS工艺的增益可变功率放大器.该功率放大器的中心工作频率为915 MHz,工作在AB类,采用两级单端共源共栅结构.输入级采用...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 为了对超低频率的生物医学信号进行有效地调节和放大,提出了一种应用于VGA直流偏置电路的阻值可调的T型伪电阻网络,其超大的等效电阻与反馈电容形成的RC高通滤波环路可构成VGA的超低高通角.电路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 设计了一种应用于开关电容电路的自适应偏置的低电压、低功耗开关运算跨导放大器.采用负阻负载技术和自适应偏置技术,分别提高了放大器的增益和转换速率;采用电流镜型OTA技术降低功耗,并通过控制开关...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 介绍了一种采用CSMC O.153 μm CMOS工艺制作的差分环形振荡器.分析了环形振荡器延时单元的选取和设计原理,以及输入差分对管跨导和负载电阻对环振相位噪声的贡献,得到负载为线性区偏置...
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11. 功率管分段驱动技术应用研究刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 高频率和高效率成为电源管理芯片的必然发展方向.功率管分段技术作为轻载下效率提升的重要技术之一,在高频率的工作环境下的应用值得研究.基于降压型DC-DC电路,阐述了分段驱动技术的原理,并在高开...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 提出了一种4阶SIW自均衡带通滤波器.该滤波器具有面积小、易集成等优点.采用三维仿真软件HFSS对电路进行仿真,仿真结果表明,滤波器中心频率为f0=36.3 GHz,带宽为1.2 GHz,在...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 提出了一种新型快速自动频率校准技术,应用于宽带频率综合器的频带搜索和频率锁定过程.该自动频率校准模块通过直接控制频率综合器中压控振荡器(VCO)的开关电容阵列的闭合状态来调节VCO的振荡频率...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 采用SMIC 40 nm CMOS工艺,设计了一款采用双路延迟结构和新型延迟单元的高性能全差分环形压控振荡器.仿真结果表明,该VCO电路可实现高振荡频率和宽调谐电压,调节频率范围为5.5～8...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 提出了一种新型的PWM-PSM双模调制技术,通过检测大功率器件驱动信号的占空比来判断系统负载的轻重,从而控制模式间的转换;在降低对取样电路精度要求的同时,有利于实现控制模块的数字化,提高转换...
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16. 一种新颖的微功耗高灵敏度解调器刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 论述了一种用于无源射频电子标签的微功耗高灵敏度解调器.在普通RF CMOS工艺中,采用一种新颖的自偏置包络检波电路结构,实现了解调器的微功耗、高灵敏度特性.解调器的工作频率范围为840～96...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 高速串行接口技术是当前高速数据传输的关键技术之一,而前馈均衡器(FFE)是高速串行接口中的重要模块电路.设计了一款工作在40 Gb/s、用于高速串口发送端的前馈均衡器;分析了FFE求和模块、...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于电流型DC-DC转换器的斜坡补偿电路.基于FVF结构,电路能动态地检测输入和输出电压,并将该电压差转换成电流,产生自适应斜坡电压,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 对传统拓扑结构应用于高压辅助电源设计中的缺点进行分析,提出了一种新型的数模控制宽输入高压辅助电源设计方案.对该方案进行了原理分析,较全面地评估了单片机控制辅助电源启动电路、PWM控制电路、反...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 针对当前国内外杂凑算法标准和应用需求不同的现状,采用数据流可重构的设计思想和方法,在对SM3及SHA-2系列杂凑算法的不同特征进行分析研究的基础上,总结归纳出统一的处理模型,进而设计了一种新...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： CMOS采集到的实时图像经过中值滤波降噪处理后,采用Sobel算子进行初步的边缘检测,并对得到的边缘图像数据进一步作数学形态学开运算优化.FPGA硬件测试结果表明,该方法抗干扰及降噪能力明显...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 针对说话人声纹身份认证一体化设计需求,利用曲线拟合方法改进Mel滤波器组,开展声纹特征参数提取的SoC设计研究.首先选取MFCC,IMFCC,MidMFCC的Mel频率刻度上的平均值作为拟合...
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23. 5管SRAM单元的抗辐射性能研究刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 利用3D TCAD仿真,在45 nm体硅工艺下,对5管SRAM单元和传统6管SRAM单元的抗辐射性能进行了对比研究.结果表明,5管SRAM单元的敏感面积更小,由该单元构成的SRAM阵列更难发...
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24. 半导体器件金铝键合的寿命研究刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 金铝键合失效是MOSFET器件常见的失效模式之一,主要是由于金属间化合物的生成,影响了金铝键合的接触电性能,从而导致键合强度下降,接触电阻升高.针对这种失效模式,进行了三种不同高温条件下的加...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 基于静电放电(ESD)应力下深亚微米栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)二次击穿的物理特性,将建立的热击穿温度模型、热源模型与温度相关参数模型相结合,提出了一种新的电热模型,并进行了优化....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 提出了一种缩短SOI Flash存储器浮栅长度的改进结构.对采用改进结构的器件进行仿真,结果表明,改进型结构与传统型结构相比,其存储窗口由3.7V提升到4.9V,提升了32％;在相同的阈值电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD) LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究.通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RES...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 利用基于复合理论的直流电流电压法,提取SOI器件背栅界面陷阱密度.给出了具体的测试原理,以0.13μm SOI工艺制造的部分耗尽NMOS和PMOS器件为测试对象,分别对两种器件的背界面复合电...
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29. 多种结构硅通孔热应力仿真分析刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 硅通孔(TSV)技术是实现三维封装的一种关键技术.通过有限元分析方法,研究了三种结构硅通孔的热应力,提出聚对二甲苯填充结构在热应力方面的优越性.为了进一步研究聚对二甲苯填充结构的TSV热应力...
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30. LDMOS热阻的电学法测试与分析刊名： 微电子学发表期刊： 2015年6期页码:摘要： 基于结构函数理论,运用电学测试法,提取封装LDMOS导热路径上各层材料的热阻值,以及管壳与恒温平台之间的接触热阻值.对各层热阻进行分析,发现焊料层的热阻远大于理论值,提出了一种减小焊料层热阻...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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