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微电子学2016年第5期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 随着CMOS工艺技术的进步,集成化、小型化成为电子器件的发展趋势.提出了一种基于CMOS工艺的中频数字接收机片上系统(SoC)方案,实现了将射频接收前端、A/D转换器(ADC)、数字下变频器...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 设计了一种12位4 MS/s的异步逐次逼近型模数转换器(SAR ADC).采用一种既能节省开关动态功耗又能减小电容面积的开关切换策略,与传统结构相比,开关动态切换功耗节省了95％,电容总面积...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 提出了基于冗余子级的流水线ADC后端校准技术,采用精度较高的流水线冗余子级代替参考ADC,对流水线ADC的各个子级校准,替代了对整个ADC的校准,使校准系统无需降频同步,较好地解决了传统校准...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种双信道并行时钟数据恢复(CDR)电路,它由1个锁相环(PLL)型CDR和1个相位选择/相位插值(PS/PI)型CDR结合实现.与传统的并行CDR相...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 温度传感器是将温度信号转换为电信号的元件.CMOS工艺制作的温度传感器具有面积小、成本低的优点,精度和工作温度范围是CMOS温度传感器最重要的两个指标.设计了一种工作温度范围为-45℃～12...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 提出了一种新型的PSM模式同步降压转换器.轻载时,通过将内部绝大多数模块关闭的方式,减小了静态电流和静态功率损耗,提高了效率.此外,通过Rdson控制技术减小了PMOS功率管的个数,通过增大...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 基于0.18 μm BCD工艺,设计了适用于电压模式恒定导通时间(COT)架构DC-DC降压型变换器的纹波补偿电路.分析了使用电解电容作为输出电容以及片外纹波补偿电路的缺点,并设计了一种新颖...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 介绍了一种应用于超短波频段OFDM信号的线性功率放大器,设计简单、成本较低.使用SourcePull和LoadPull技术仿真出最佳源阻抗和负载阻抗,并设计了相应的匹配电路和栅极偏压保护电路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 基于IBM 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种用于Ku波段相控阵雷达的高线性度低噪声放大器.该放大器采用2级级联结构,第1级优化可获得最小的噪声性能,第2级优化可提高电路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 基于传统基准电流源结构,增加了一条负反馈支路,将片上电阻的温度系数、晶体管载流子的温度系数与晶体管阈值电压的温度系数相互抵消,实现了基准电流源的温度补偿.测试结果表明,该基准电流源在1.1V...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流.采用自偏置共源...
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12. 一种新颖的双环路控制带隙基准电路刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 基于Widlar基准与Kuijk基准相结合的思想,独创性地提出了一种双环路控制的带隙基准源,加快了负载瞬态响应的速度,将负载瞬态响应时间有效控制在3 μs之内.为了减小功耗 及简化零极点补偿...
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13. 一种CMOS旋转行波压控振荡器刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于微带传输线的旋转行波压控振荡器(RTWO).采用λ/4差分传输线代替传统交叉耦合反相器对的PMOS负载管;通过电磁场建模并优化,获得了高Q值的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 设计了一种新型的用于NOR型嵌入式闪存的源线电压补偿电路.该电路可以根据需要编程的位数来控制电荷泵的输出电压,补偿源线译码路径上产生的压降,得到一个稳定的源线电压.同时,利用相关电路对源线电...
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15. 一种4路正交时钟校准电路的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 采用TSMC 40 nm CMOS工艺,设计了一种正交时钟校准电路,它包含2个脉冲宽度调整环路和1个内嵌的延迟锁相环.与其他校准电路相比,本文校准电路无需50％占空比的参考时钟或者单端转差分...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 采用模拟调频方案,设计了一种小型化线性调频微波收发(T/R)组件.该微波T/R组件在实现所需的调频中心频率和带宽的同时,保证了调频稳定度.T/R组件的调频中心频率为(4 300±15)MHz...
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17. 一种瞬态增强无片外电容LDO电路刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 基于CSMC 0.18μm工艺,设计了一款瞬态增强的无片外电容LDO.设计误差放大器时,采用改进的第2级放大器提高功率管栅端的充放电速度,从而提高瞬态响应.采用嵌套密勒补偿方式来保证LDO的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 提出了一种用于非制冷红外焦平面阵列读出电路的高速缓冲器.阐述了该缓冲器的工作原理,并给出具体设计方案.采用Global Foundries 0.35 μm混合模式CMOS工艺进行仿真,当负载...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个中心频率为150 GHz的低损耗Lange耦合器.使用λ/4波长线为耦合线,4个端口采用50 Ω匹配线以降低回波损耗;为得到更好的插...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 基于CMOS交叉耦合桥式射频整流器结构,在MOS整流管的栅极与衬底之间引入耦合电容,利用衬底调制效应动态调整MOS整流管的阈值电压,从而提高射频整流器的输出电压,减小稳定时间.对整流器工作原...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 提出了一种基于LTCC技术的高性能超宽带带通滤波器的实现方法.该滤波器电路采用交织结构,同时只采用了4个谐振级,有效降低了通带内插入损耗,增大了滤波器带宽.借助电路仿真以及电磁场三维仿真软件...
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22. 一种基于忆阻器的可重配置逻辑电路刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 分析了具有阈值特性的双极性忆阻器模型的阈值电压和高低阻态开关特性,提出了一种基于该模型的可重配置逻辑电路.与基于忆阻器的蕴含逻辑门电路相比,可重配置逻辑电路具备逻辑运算的完备性,在实现“非”...
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23. 一种单电源高集成度蔡氏振荡器刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 二端非线性电阻的实现是研究蔡氏电路中混沌现象的一个重要环节,传统的非线性电阻大多采用正负电源供电的运放和电阻、电容等分立器件来搭建.在分析非线性电阻工作原理的基础上,提出采用单电源供电的集成...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 与传统的Si基器件相比,SiC和GaN器件具有工作温度高、击穿电压高、开关速度快等优势,因此SiC和GaN材料是制备电力电子器件的理想材料.总结了近年来SiC和GaN电力电子器件的研究进展,...
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25. 正余弦相幅转换技术发展动态刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 综合论述了直接数字频率合成(DDS)芯片设计中的核心技术——正余弦相幅转换技术.以国际上公开发表的有关相幅转换技术的论文和专利为基础,根据实现方式,将相幅转换技术分为7种,分别介绍了每种相幅...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 为了实现基于微惯性加速度计的多行为模式高频切换下步态信息跟踪,提出一种尺度指纹步态算法,并通过RP活动区域聚类的方法减小算法开销.在离线阶段建立多行为模式的指纹数据库,根据行为模式分类算法将...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 设计了一种TIADC时间失配误差自适应校准算法.基于相邻通道信号互相关原理,将相邻通道的输出信号作相关运算,利用简单的乘法器、加法器和取绝对值即可实现时间误差的估计;利用基于泰勒级数展开的1...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H2/SiH4气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜.研究了H2/SiH4气流量比、工艺功率以及工艺压强对非晶硅薄膜光学特性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响.结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年5期页码:摘要： 利用二维半导体工艺及器件模拟工具,从结掺杂浓度、P阱与P环间距、P环尺寸控制3个方面分析了半绝缘多晶硅终端结构的击穿电压,提出了应用于1 200 V沟槽栅场截止型IGBT的终端解决方案.从结...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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