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微纳电子技术

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Micronanoelectronic Technology

曾用名：半导体情报(1964-2001)

AJ SA CSTPCD

影响因子 0.4364

《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多

主办单位：

中国电子科技集团公司第十三研究所

期刊荣誉：

俄罗斯《AJ》收录 美国《剑桥科学文摘》收录 英国《SA》,INSPEC数据库收录

ISSN：

1671-4776

CN：

13-1314/TN

出版周期：

月刊

邮编：

050002

地址：

石家庄市179信箱46分箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. 十亿晶体管级芯片系统集成面临的挑战与机遇

作者：侯朝焕杨华中汪蕙

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 2-4

摘要：
2. 通信用线性功率放大器的进展

作者：李浩模

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 5-7

摘要：
3. 21世纪的电信发展对集成电路技术的要求

作者：魏少军

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 8-11

摘要：从21世纪电信技术发展的角度,站在整机业的立场探讨对集成电路技术的要求,特别是对集成电路设计技术的要求.
4. 有望迅速增长的MST/MEMS技术

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 11

摘要：
5. 半导体材料的发展及现状

作者：周立军

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 12-15

摘要：介绍了半导体材料近10年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用;对其中一些材料进行了分析比较;描述了半导体新型材料的发展前景.
6. 全球化是集成电路卡发展的主要趋势

作者：林万孝

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 16-18

摘要：介绍了多种集成电路卡的应用及发展.
7. 单片机开发系统综述

作者：居水荣

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 19-22

摘要：简单介绍了单片机开发系统的概念、功能及分类;然后具体介绍单片机开发系统的构成,包括开发工具和开发过程以及单片机开发系统的选择.
8. 蓝芽节点到2005年将超过14亿

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 22

摘要：
9. 电力半导体模块及其工艺技术

作者：吴济钧吴莉莉

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 23-27

摘要：回顾了电力半导体模块发展里程,指出了电力半导体模块今后发展的方向,描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域.介绍了IGBT模块的结构和工艺技术,提出了设计IGBT模块各部...
10. SCI与ERG集团创建电信联盟

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 27

摘要：
11. 二次离子质谱技术在砷化镓工艺中的应用

作者：韩象明马农农

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 28-32,41

摘要：砷化镓工艺过程中出现的问题往往与杂质的分布有关,二次离子质谱技术是研究各种成分的三维分布的主要测试方法之一,由于其自身的特点使其成为分析器件失效原因的最有效的检测手段.利用SIMS技术对砷化...
12. 大面积科学CCD摄象器的设计技术

作者：陈义飞

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 33-41

摘要：描述了大面积科学CCD摄象器设计的两项关键技术:亚电子噪声技术和CCD钉扎技术.
13. 小型化QPSK调制放大模块

作者：王一民王江

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 42-43,47

摘要：介绍一种S波段QPSK调制放大模块.该部件采用了新的装配工艺,体积小,可靠性高,适用于卫星通信.另外,该模块在射频直接调相的基础上加入了放大单元,实现了信号调制后无损耗,为优化系统构成创造了...
14. 用可编程逻辑器件EPM7128SLC84实现细分电路

作者：刘玉红樊金生王小平王彦芳

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 44-47

摘要：用可编程逻辑器件EPM7工28SLC84实现细分电路,并说明了用EDA把可编程逻辑器件设计为专用集成电路的具体方法.
15. 下期要目预告

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 47

摘要：
16. 不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究

作者：丁勇刘汝萍夏冠群李传海毛友德

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 48-51

摘要：分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘GaAs衬底上制备MESFET,对三种工艺制备的MESFET的阈值电压均匀性进行了研究.结果表明,器件工艺对M...
17. 晶体管的温度特性以及使用中应注意的问题

作者：王军

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 52-53,61

摘要：叙述了晶体管的负温度特性以及在晶体管的制造过程中如何改进晶体管的温度特性.
18. 圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布

作者：何进

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 54-57

摘要：基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设,通过圆柱对称解的归一化,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解.理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压...
19. GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究

作者：丁勇丁干夏冠群崔丽娟毛友德赵福川

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 58-61

摘要：旁栅效应是影响GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.本文研究了旁栅阈值电压Vth SG与旁栅距LSG的关系,发现Vth SG的大小与LSG成正比关系,并理论探讨了产生这一现象的机制,从而验证...
20. EC计划推进光电技术

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 61

摘要：
21. RF/微波业常用简写及缩写(一)

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 62-63

摘要：
22. 车身电子系统:摩托罗拉半导体解决方案

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 64-65

摘要：
23. Sanmina公司取得Nortel的无线运作方法

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年1期

页码: 65

摘要：
24. SiC材料与器件

作者：袁明文

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年2期

页码: 1-6

摘要：
25. 微机械技术与市场共同发展

作者：姚立真李鹏

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年2期

页码: 12-14

摘要：
26. 单片机及其发展趋势

作者：居水荣

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年2期

页码: 15-18

摘要：将世界范围内的单片机生产地分为欧美、日本、台湾地区及韩国等四块,并分别就欧美、日本、台湾地区单片机的发展趋势作了综述.
27. 单片机及其发展趋势

作者：田文彬

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年2期

页码: 15-18

摘要：
28. 微电子器件的抗辐射加固技术

作者：何君

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年2期

页码: 19-23,30

摘要：对各类微电子材料的抗辐射特性进行了分析,对Si双极器件和SiCMOS器件、GaAs微波功率器件、新兴光电器件--VCSEL、LED以及MEMS的抗辐射加固技术进行了探讨,对几种空间单粒子效应...
29. 光学新技术

作者：贾正根

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年2期

页码: 24-25

摘要：介绍了新型光学技术.引入新的光学概念:光子晶体,光子能带以及光子晶体制造技术.
30. SiCOI制造技术

作者：张永华彭军黄云霞

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年2期

页码: 26-30

摘要： SiCOI是一种新型的微电子SOI材料,有望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展.本文介绍了近年来几种SiCOI技术的发展并作简要评价.

微纳电子技术基本信息

刊名	微纳电子技术	主编	李和委
曾用名	半导体情报(1964-2001)
主办单位	中国电子科技集团公司第十三研究所	主管单位	中华人民共工业和信息化部
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1671-4776	CN	13-1314/TN
邮编	050002	电子邮箱	wndz@vip.sina.com
电话	0311-87091487	网址	www.wndz.org
地址	石家庄市179信箱46分箱