微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 刘萍 王禄荣 陈长春
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  311-317,320
    摘要: ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ一Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向P型导电的转变.为此,阐述了ZnO薄膜的P型掺杂机理,...
  • 作者: 冯志宏 冯震 宋建博 张志国 李亚丽 杨克武 王勇 蔡树军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  318-321
    摘要: 在研制了A1GaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5 mm大栅宽A1GaN/GaN HEMT.直流测试中,Vg=0 V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4 A,最大...
  • 作者: 冯震 李亮 杨克武 潘宏菽 蔡树军 陈昊 默江辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  322-325,333
    摘要: SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点,使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展.采用国产SiC外延片,解决了欧姆接触、干法...
  • 作者: 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  326-333
    摘要: 带间共振隧穿二极管(RITD)是导带与价带间发生共振隧穿的两端器件,其特点是启始电压VT和峰值电压VP.较低,电流峰谷比PVCR较大.在导出RITD物理模型和其电流密度方程的基础上重点介绍了...
  • 作者: 李在元 翟玉春
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  334-337,360
    摘要: 以KBH4和维生素C(VC)为还原荆,以CuSO4·5H2O为原料,以EDTA为络合荆,PVP为分散剂,用液相还原法制备不同晶粒度的纳米铜粉.不同晶粒度的纳米铜粉同时在空气中放置1 h后,进...
  • 作者: 刘英斌 崔崎 杨红伟 林琳 赵润 陈宏泰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  338-341
    摘要: 根据光荧光谱的测试原理,针对具体的化合物半导体材料的层次结构,归纳、总结出两个实用的分析模型:光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型.应用厚度干涉模型,对GaN外延材料、带DBR结构的MQ...
  • 作者: 姚军 张理 王大甲 钟洪声 饶青
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  342-346
    摘要: 研究了一种新型的、应用于X波段的高隔离度RF MEMS电容式并联开关结构.相比于普通的并联结构,该开关通过共面波导(CPW)传输线与地平面之间的衬底刻槽结构将隔离度提高了7 dB,关态时在1...
  • 作者: 李丽 李倩 胡小东
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  347-350,355
    摘要: 对一种适合于X波段通信系统的RF MEMS可变电容进行了结构设计和工艺实现.该电容用高阻硅作为衬底材料,采用凹形和T形梁结构,整个结构由金材料组成;静电驱动,采用驱动信号与微波信号分离的方法...
  • 作者: 唐飞 熊继军 王志刚 王晓浩
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  351-355
    摘要: 采用Intersema公司基于MEMS的数字压力传感器MS5534B,利用海拔高度与气压和温度的关系,设计并制作了一个微型气压高度计.利用MSP430F449的I/O口模拟同步串行外设接口(...
  • 作者: 刘武发 杨杰伟 苏宇锋 赵江铭 陈文元
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  356-360
    摘要: 硅橡胶具有生物兼容性好且制作技术与微细加工工艺兼容的优点,采用硅橡胶作为MEMS驱动器中的振动膜具有较好的应用前景.研究了一种微型电磁驱动器,由内嵌永磁体阵列的柔性硅橡胶(PDMS)振动膜和...
  • 作者: 胡松 蒋文波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  361-365,369
    摘要: 分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十...
  • 作者: 孙娟 徐海林 蒋海涛 赵晓红
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  366-369
    摘要: 研究了声表面波器件研制过程中铝膜厚度准确控制技术及Al膜均匀性提高的技术.由理论分析推导出片架上的各点膜厚分布.根据片架各点的膜厚分布及蒸发空间场分布,设计所需的各项参数;计算出调整板的形状...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  370-372
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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