S波段系列SiC MESFET器件研制

• 作者: 冯震 李亮 杨克武 潘宏菽 蔡树军 陈昊 默江辉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 S波段 功率器件 金属一半导体场效应晶体管,功率密度
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 322-325,333
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.3|TN323.4
• 字数: 2380字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.06.003

摘要

SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点,使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展.采用国产SiC外延片,解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题;针对不同应用背景,研制出总栅宽分别为1、5、15、20 mm系列SiC MESFET样管.在2 GHZ脉冲状态下,300 gs脉宽、10%占空比、20 mm栅宽器件单胞输出功率超过80 W,功率密度大于4 W/mm;15 mm栅宽器件在3.1～3.4 GHZ频带脉冲功率输出超过30 W.该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础.