高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关

• 作者: 姚军 张理 王大甲 钟洪声 饶青
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频微机电系统 开关 隔离度 X波段 衬底刻槽
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 342-346
• 页数: 5页
• 分类号: TH703|TM534.1|TM564.1
• 字数: 2498字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.06.007

摘要

研究了一种新型的、应用于X波段的高隔离度RF MEMS电容式并联开关结构.相比于普通的并联结构,该开关通过共面波导(CPW)传输线与地平面之间的衬底刻槽结构将隔离度提高了7 dB,关态时在13.5 GHz谐振频率处的隔离度为-54.6 dB,执行电压为26 V.弹簧梁结构开关的执行电压下降为14 V,在11 GHz处其隔离度为-42.8 dB.通过两个并联开关级联与开关间的高阻传输线构成的π型调谐开关电路,在11.5 GHZ处的隔离度为-81.6 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟洪声		50	343	9.0	17.0
2	姚军	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	32	355	11.0	18.0
3	王大甲	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	2	12	1.0	2.0
4	饶青		3	16	2.0	3.0
5	张理	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0