微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 叶小玲 姜立稳 王占国
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  385-393
    摘要: 首先简要回顾了超短脉冲激光器(LD)的发展史,以及以半导体量子点为有源区的锁模量子点LD的提出及其潜在的、重要应用前景.随后介绍了锁模量子点LD的工作原理、各种锁模方式及其器件结构,进而讨论...
  • 作者: 付兴昌 何庆国 冯志红 刘波 商庆杰 李亚丽 李佳 杨克武 杨霏 潘宏菽 蔡树军 闫锐 默江辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  394-396,408
    摘要: 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖...
  • 作者: 安志民 林琳 王晶 车相辉 陈宏泰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  397-400
    摘要: 采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900 nm的三叠层隧道级联激光器.针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通...
  • 作者: 刘新宇 叶甜春 岳会会 李昊峰 贾锐 钟圣荣 陈晨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  401-408
    摘要: 介绍了纳米线的研究发展历史、纳米线应用在新型太阳电池上的特点和优势、Si基纳米线结构应用在太阳电池方向的制备方法的研究进展、纳米线作为新型一维平面结构所具有的电学特性和特殊的光学减反特性.重...
  • 作者: 应杰 施辉伟 范亚明 谭海仁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  409-414
    摘要: 采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜.系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响.结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源...
  • 作者: 刘兴防 吴海雷 孙国胜 宁瑾 曾一平 杨挺 王雷 罗木昌 赵万顺 赵永梅 闫果果
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  415-424
    摘要: 主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC) MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低...
  • 作者: 徐永青 杨拥军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  425-431
    摘要: 介绍了几种典型的硅基MEMS加工技术以及应用,并简单展望了MEMS加工技术发展趋势.硅基MEMS加工技术主要包括体硅MEMS加工技术和表面MEMS加工技术.体硅MEMS加工技术的主要特点是对...
  • 作者: 弓巧侠 张慧敏 段智勇 王庆康 罗康 赵立波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  432-436
    摘要: 气体压力施压是实现纳米压印技术中将模板压入转移介质的重要技术路径,在克服应力不均匀、保护基片和模板等方面优势明显.报道了一种旨在提高压卬压力均匀性、低压力施压的真空负压紫外固化纳米压印系统的...
  • 作者: 何洪涛 沈路 邹学锋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  437-442,450
    摘要: 针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路...
  • 作者: 刘辉 吴丰顺 吴懿平 周龙早 安兵 邓丹
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  443-450
    摘要: 介绍了3D封装的主要形式和分类.将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等,并对它们的优缺点进行了分析.围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、散热及电路性能、嵌入式工艺、...
  • 作者: 王卫东 赵明剑 赵秋明
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  451-455
    摘要: 基于0.18 μm CMOS标准工艺,设计了一种工作电压为1.8 V、带宽达到910 MHz的高速、宽带、高稳定性的集成运算放大器芯片.阐述了该放大器电路构成原理、弥勒补偿电容和调零电阻补偿...
  • 作者: 何庆国 吴思汉 王会智
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  456-459
    摘要: 基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器.简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年7期
    页码:  460
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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