微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年10期
    页码:  698-700
    摘要:
  • 作者: 万军 仇洪波 刘邦武 夏洋 李勇 李惠琪 李超波 陈波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  701-708,731
    摘要: 原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究.简单介绍了ALD技术、沉积过程、该技术的优点以及该技术可以沉积的薄膜材料,重点...
  • 作者: 汪慧 解光军 黄文龙
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  709-715,725
    摘要: 量子细胞自动机(QCA)是一种基于元胞自动机结构的纳米器件,该器件通过电子占据量子点的位置来表征二进制信息.针对QCA加法器电路的国内外研究状况,首先分别详细地综述了进位传送加法器、载流加法...
  • 作者: 杨富华 樊中朝 贾利芳 颜伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  716-725
    摘要: 作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基HFET功率器件具耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,在电力电子器件方面也具有卓越的优势.概述了基于电力电子方面应用的AlGaN/GaN HFET功率器件...
  • 作者: 刘继文 刘超 张礼刚 贾利云 韦志仁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  726-731
    摘要: 采用水热法,在前驱物Zn (OH)2中添加一定量的分析纯FeSO4·7H2O和CuCl2·2H2O或SnCl2·2H2O,以3 mol/L KOH溶液作为矿化剂,填充度为35%,反应温度43...
  • 作者: 康雪雅 张璐 窦俊青 韩英
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  732-735,761
    摘要: 以AlN,SiO2和Al2O3为主要原料,采用固相法制备出一种新型高材料常数B值负温度系数(NTC)热敏电阻材料.借助XRD、SEM、粒度分析和阻温特性测试仪等,研究了所制备NTC热敏电阻材...
  • 作者: 丁玉成 李欣 李祥明 田洪淼 邵金友
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  736-742
    摘要: 电场诱导聚合物流变成型作为一种新型的利用外部电场实现微纳米复型的技术得到越来越多的关注.为了深入理解复型本质与影响因素,提出了电流体动力学(EHD)理论与动网格方法耦合的模型,从数值模拟角度...
  • 作者: 孙永荣 李荣冰 杭义军 王小春
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  743-748
    摘要: 针对微小型惯性测量单元(MIMU)工程应用的实际条件,设计了MEMS加速度计组安装误差与温度漂移误差的两步解耦标定方法.该标定方法基于MIMU结构封装确定、三轴加速度计之间安装关系固定、非正...
  • 作者: 刘俊 崔敏 李孟委 李锡广 王莉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  749-754,766
    摘要: 针对MEMS陀螺中带孔结构的空气阻尼问题,根据制作的微陀螺,利用MATLAB软件对模态匹配、Q值匹配与灵敏度之间的关系进行了仿真分析.仿真结果表明在驱动和检测模态匹配时灵敏度幅值最大,但工作...
  • 作者: 刘玉岭 包捷 胡轶 郑伟艳 黄汀鹤
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  755-761
    摘要: 在ULSI多层铜布线中,由于钽与铜在物理及化学性质上的差别导致这两者的CMP去除速率不同,从而在抛光结束后出现蝶形坑等缺陷,影响器件性能.通过实验分析碱性抛光液中磨料、螯合剂、氧化剂、pH值...
  • 作者: 张继华 李章恒 杨传仁 赵强 陈宏伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  762-766
    摘要: 采用传统陶瓷工艺制作溅射靶材,通过射频磁控溅射法在Al2O3基片上制备了Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对不同退火温度下制备的NTC薄膜的...
  • 作者: 王玲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  767
    摘要:
  • 作者: 刘元正 李攀 王继良
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  769-774,785
    摘要: 基于核磁共振的微型陀螺仪以其小体积、低功耗、低成本等优势成为了惯性传感器领域新的研究热点.回顾了核磁共振陀螺仪的发展历程,并跟踪了国际上基于核磁共振的微型陀螺仪的最新研究动态.从核磁共振、光...
  • 作者: 李越 王玫 肖志松 郑晓虎 黄安平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  775-780
    摘要: 对比传统的平面型晶体管,总结了三维立体结构FinFET器件的结构特性.结合MOS器件栅介质材料研究进展,分别从纯硅基、多晶硅/高k基以及金属栅/高k基三个阶段综述了Fin-FET器件的发展历...
  • 作者: 张华丽 张飞虎
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  781-785
    摘要: 结合扫描隧道显微镜(STM)成像实验和第一性原理原子级模拟计算的方法已经成为材料界面表征的重要手段.超高真空条件下的STM可用于直接观察单原子等微观结构,但其成像原理还未被理解清楚.STM扫...
  • 作者: 吴寿煜 张秀梅 王利光 王志萍
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  786-789,811
    摘要: 运用将含时密度泛函理论(TDDFT)和分子动力学相结合的方法,研究了C3分子线的光吸收谱以及它在强激光场中的电子和离子响应.计算结果表明,C3分子线光吸收谱可以分为两个区域,其中既包含独立的...
  • 作者: 刘林仙 宋小鹏 张国军 薛晨阳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  790-795
    摘要: 针对MEMS仿生矢量水听器灵敏度和频带相互制约,不能同时满足宽频带高灵敏度测量的问题,在单个MEMS矢量水听器的基础上,设计了由四个单元构成的2×2单片集成微敏感结构阵列,实现了水听器的高灵...
  • 作者: 许高斌 陈兴 韩成成
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  796-801
    摘要: 设计了一种Z轴完全差分电容式加速度传感器,交错梳齿、两组对称可动梳齿通过挠性梁连接在固定衬底上,对称布局使结构稳定并解决了X和Y轴向对Z轴向加速度检测的耦合干扰.对传感器在敏感方向加速度作用...
  • 作者: 刘加凯 齐杏林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  802-806
    摘要: 非硅MEMS惯性开关具有体积小、成本低、可批量生产以及强度和导电性能较好的优点,但其可靠性问题制约了其应用领域.通过开展非硅MEMS惯性开关的可靠性实验(包括温度循环实验和随机振动实验),找...
  • 作者: 吴继荣 安宏 李晓琦
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  807-811
    摘要: 利用同种磁性液体表面张力智能测试仪在不同边界条件下对磁性液体的表面张力系数进行了测试,实验结果表明,磁性液体的表面张力系数与磁场强度及其饱和磁化强度成正比.利用不同的仪器、在相同边界条件下对...
  • 作者: 吴鹏 周再发 潘江涌
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  812-819,828
    摘要: 对低能电子在光刻胶和衬底中的复杂散射过程进行分析和物理建模,采用Monte Carlo方法进行模拟研究.利用Browning拟合公式来解决Mott弹性散射截面计算速度慢的问题,采用D.C.J...
  • 作者: 刘楠 檀柏梅 田巧伟 苏伟东 高宝红 黄妍妍
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  820-823
    摘要: 硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子.制备了一种用...
  • 作者: 唐海林 张莉 罗剑波 谭刚
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  824-828
    摘要: 应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器.首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 ke...
  • 作者: 刘楠 杨飞 檀柏梅 田巧伟 苏伟东 高宝红
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年12期
    页码:  829-832
    摘要: 针对目前清洗技术存在的问题进行了详细分析,研究了微电子材料表面污染物的来源及其危害,并介绍了表面活性剂在颗粒去除方面的作用.研究了化学机械抛光(CMP)后Cu布线片表面的颗粒吸附状态,分析了...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
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