微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 常胜 王豪 赵柏衡 赵磊 黄启俊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  474-478,522
    摘要: 石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广泛关注.以数字电路...
  • 作者: 杨涛 杨超 童洲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  479-486,493
    摘要: 报道了一种利用DNA网络为模板原位合成金纳米颗粒的方法.利用AuCl4-阴离子和DNA碱基间的配位作用,使AuCl4-结合到预先制备好的DNA网络模板上,然后还原AuC14-,在DNA模板上...
  • 作者: 何婉婧 何移 周斌 李君儒 高杨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  487-493
    摘要: 由薄膜体声波谐振器构成的滤波器,其带宽受压电材料机电耦合系数的影响,较难实现窄带滤波器设计.使用ADS射频仿真软件设计了一种通带为1.18~1.20 GHz的窄带薄膜体声波滤波器,分别通过比...
  • 作者: 周再发 张晓强 李伟华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  494-500
    摘要: 综述了微电子机械系统(MEMS)薄膜塞贝克系数的测试结构.首先介绍了塞贝克效应在MEMS领域的广泛应用,简述了测试MEMS薄膜塞贝克系数的目的和意义.然后详细列举了四类典型的MEMS薄膜塞贝...
  • 作者: 何洪涛 卢新艳 徐永青 徐淑静 李博 杨拥军 罗蓉 胥超
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  501-505
    摘要: 介绍了一种集成式硅MEMS振动陀螺仪.首先阐述了MEMS振动陀螺仪的工作原理;在此基础上,介绍了陀螺敏感结构形式:采用双端固定音叉结构,差分检测,实现对外界角速率的敏感,给出了结构设计和有限...
  • 作者: 姚明秋 席仕伟 施志贵 王旭光 陈颖慧
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  506-511
    摘要: 采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响.为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个...
  • 作者: 张高朋 曹伟龙 田桂中
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  512-517,527
    摘要: 微通道作为决定微流体系统性能的关键元件,其制作材料、工艺与装备是微机械领域的研究热点.现有微通道制作材料主要有硅及其氧化物、玻璃、聚合物三种.综述了不同材料微通道制作工艺的国内外研究现状,包...
  • 作者: 张玉龙 张艳 蒋书森
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  518-522
    摘要: 提出一种称之为“阵列误差光刻”的方法.采用两次接触光刻和两次金属剥离工艺,形成两组顶端相对的电极阵列,利用第二次接触光刻时的对准误差,在这两组电极之间按照概率分布形成了一个最小的纳米间隙.设...
  • 作者: 刘玉岭 孙鸣 张宏远 杨昊鹍 王辰伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  523-527
    摘要: 为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析.采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂...
  • 作者: 梁东升 胡顺欣 苏延芬 邓建国
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  528-533
    摘要: 研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现.该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6 μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  533,538-540,前插1,封3
    摘要:
  • 作者: 罗蓉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年8期
    页码:  534-537
    摘要: 提出了一种MEMS器件的圆片级封装技术.通过金硅键合和DRIE通孔制备等关键工艺技术,可以实现真空度从102 Pa到2个大气压可调的圆片级封装.作为工艺验证,成功实现了圆片级真空封装MEMS...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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