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稀有金属

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Chinese Journal of Rare Metals

CA CSCD EI JST AJ CSTPCD

影响因子 1.2374

本刊是以稀有金属材料研究、开发和冶炼为特色的大型综合性双月刊，由国家有色金属工业局主办，北京有色金属研究总院承办。是中文核心期刊，主要报道稀有金属、贵金属、稀土金属及镍、钴等有色金属在材料研制、合金加工、选矿、冶炼、理化分析测试等方面的最新科研成果及应用，同时还报道超导材料、半导体材料、复合材料、陶瓷材料、纳米材料、磁性材料等新材料的研究开发及应用。在稀有金属领域享有较高的学术水平和权威性。

主办单位：

北京有色金属研究总院

期刊荣誉：

中国科技论文统计源期刊 中文核心期刊 冶金工业类核心期刊

ISSN：

0258-7076

CN：

11-2111/TF

出版周期：

月刊

邮编：

100088

地址：

北京新街口外大街2号

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热门刊内文献

年度刊次

31. 端口驻波比对混频器变频损耗影响

作者：孙晓玮程知群钱蓉

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 470-472

摘要：设计24.1 GHz集成环形混频器电路,用Aglient ADS 软件进行了仿真优化,对研制混频器电路进行了性能测试和分析.测试结果表明,通过调节端口驻波比可以较大改善混频器的变频损耗,使混...
32. 非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

作者：周春锋赖占平高瑞良齐德格

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 476-479

摘要：为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉...
33. AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

作者：沈波褚君浩郑有炓郑泽伟郭少令陈敦军

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 491-494

摘要：通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于...
34. 衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响

作者：于广辉叶好华李爱珍雷本亮齐鸣

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 499-501

摘要：研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响...
35. ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

作者：何志巍方泽波朋兴平王印月谭永胜

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 502-504

摘要：用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备...
36. InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

作者：徐安怀邹璐陈晓杰齐鸣

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 516-518

摘要：本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备...
37. Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质

作者：余旭浒王玉恒计峰马洪磊马瑾黄树来

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 519-521

摘要：采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出Zn-Sn-O透明导电薄膜.制备薄膜为非晶结构,并且具有很好的稳定性,与玻璃衬底具有良好的附着性.薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电,薄膜的电阻率...
38. 长波长半导体激光器波导层设计

作者：封松林曹俊诚高少文

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 533-535

摘要：研究了一种新型的,基于金属/半导体界面等离子体激元的波导结构,从理论上对激射波长在17μm的GaAs-AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和...
39. 半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布

作者：刘彩池唐蕾徐岳生杨新荣王海云郭华锋魏欣

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 544-546

摘要：通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与...
40. 半导体激光器的热场分析及热特性表征

作者：何友军南矿军张永刚李爱珍

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 551-553

摘要：基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数,对1.3 μm InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和8 μm InAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各...
41. 制备GaAs激光窗口材料的一种新型补偿掺杂剂

作者：屠海令黎建明

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 554-557

摘要：用氧化铬(Cr2O3)作补偿掺杂剂、 LEC法生长的GaAs窗口晶体,容易满足高阻补偿条件,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料.补偿掺...
42. 室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器

作者：张永刚张雄徐刚毅李爱珍郑燕兰齐鸣

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 574-576

摘要：报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入...
43. 快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

作者：江德生边历峰陆书龙

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 582-584

摘要：分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温度依赖关系.并对材料进行了退火处理,...
44. 大孔径光电导天线产生的太赫兹脉冲时间特性研究

作者：张同意曹俊诚

刊名：稀有金属

发表期刊： 2004年3期

页码: 588-589

摘要：在电流涌流模型中考虑了电场屏蔽效应、有限载流子寿命和有限弛豫时间的影响,得到了大孔径光电导天线表面辐射场和辐射远场的解析表达式,讨论了辐射场对载流子寿命、弛豫时间、激励光脉冲通量和脉冲宽度的...

稀有金属基本信息

刊名	稀有金属	主编	屠海令
曾用名
主办单位	北京有色金属研究总院	主管单位	中国有色金属工业协会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	0258-7076	CN	11-2111/TF
邮编	100088	电子邮箱	xxsf@grinm.com
电话	010-82241917	网址
地址	北京新街口外大街2号

稀有金属评价信息

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3.	工程索引(美)
4.	日本科学技术振兴机构数据库(日)
5.	文摘杂志(俄)
6.	中国科技论文统计与引文分析数据库