快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

• 作者: 江德生 边历峰 陆书龙
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: MBE GaInNAs 光致荧光谱(PL) S-型温度依赖关系
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 582-584
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.037

摘要

分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温度依赖关系.并对材料进行了退火处理,结果发现退火有效地改善材料的发光特性,并且会造成S-型的转变温度降低,从而说明退火可以有效地减少局域态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江德生	中国科学院半导体研究所半导体超晶格微结构国家重点实验室	14	36	3.0	5.0
2	边历峰	中国科学院半导体研究所半导体超晶格微结构国家重点实验室	11	119	7.0	10.0
3	陆书龙	中国科学院半导体研究所半导体超晶格微结构国家重点实验室	5	5	2.0	2.0