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真空科学与技术学报期刊
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905

真空科学与技术学报

Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
曾用名： 真空科学与技术

CACSCDJSTCSTPCD

影响因子 0.3586
本刊是全国中文核心期刊，长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录，已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅，有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿，已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。
主办单位：
中国真空学会
ISSN：
1672-7126
CN：
11-5177/TB
出版周期：
月刊
邮编：
100022
地址：
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905
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  • 151. Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  50-53
    摘要： Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点.由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻.为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Z...
  • 152. 折射率可调的纳米彩色薄膜的制备研究
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  20-23
    摘要： 采用溶胶-凝胶技术,以正硅酸乙酯和钛酸丁酯为有机醇盐前驱体,乙醇、生物染色剂为主要原料,利用提拉法制备出折射率可调的纳米复合彩色薄膜.经测试研究表明,薄膜的折射率随TiO2含量的增加以及热处...
  • 153. 实时斜离子轰击对Co-Cu合金薄膜结构和磁各向异性影响
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  17-19,27
    摘要： 从0到接近90°改变离子束入射角度,用离子束辅助沉积制备了Co-Cu合金薄膜.当离子束入射角度为45°时,获得了强织构的面心立方相亚稳相.对于入射角15°到60°的样品,垂直于离子束入射平面...
  • 154. Fe/Mo多层膜的微观结构与应力研究
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  76-77,85
    摘要： 本文采用电子束蒸镀技术制备了Fe/Mo金属多层膜,利用TEM等手段研究了Fe与Mo层厚度对薄膜微结构应力的影响.Fe与Mo层厚度相差较大而Fe单层膜厚薄到1.2 nm时,较薄的Fe在较厚的M...
  • 155. 集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  78-81,94
    摘要： 本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点.
  • 156. 真空技术在航空机电部件制造中的应用
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  89-91
    摘要： 真空技术在航空工业发展中得到越来越广泛的应用,以满足新型飞机高速发展对航空机电部件制造提出的越来越苛刻的技术要求.本文初步探讨了真空技术在:纳米加工、微电子电路、平板显示器件、光电传感器和微...
  • 157. 热处理对氧化钨薄膜结构和电致变色性能的影响
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  46-49
    摘要： 电致变色(EC)材料在外加电压作用下能可逆的改变其光学性能.近年来由于其在光调节装置方面的应用潜力,引起了广大研究人员的兴趣.其中氧化钨是典型的电致变色材料.在本文中,电致变色氧化钨薄膜由电...
  • 158. 基于小波变换的磁控溅射Cu-W薄膜生长表面形貌评价
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  14-16,37
    摘要： 本文运用离散小波变换(DWT)法研究磁控溅射铜钨薄膜表面特征随溅射时间的演变.提出了一种基于小波变换表征生长薄膜表面形貌的方法.结果表明,高频部分引起薄膜表面形貌的变化.Cu-W薄膜在溅射时...
  • 159. 基于小波变换的磁控溅射Cu-W薄膜生长表面形貌评价
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  14-16,37
    摘要： 本文运用离散小波变换(DWT)法研究磁控溅射铜钨薄膜表面特征随溅射时间的演变.提出了一种基于小波变换表征生长薄膜表面形貌的方法.结果表明,高频部分引起薄膜表面形貌的变化.Cu-W薄膜在溅射时...
  • 160. 掺Sb纳米TiO2薄膜的超亲水性与电化学特性
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  1-3
    摘要： 用溶胶-凝胶法制备了掺杂Sb的纳米TiO2薄膜.通过水接触角、循环伏安法研究了薄膜的光致超亲水性和电化学性质,薄膜的晶体结构由X光衍射(XRD)分析.结果表明:用该方法制备的纯TiO2薄膜中...
  • 161. 扩散阻挡层与离子束轰击能量对Cu-Cr合金膜结合强度的影响
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  4-6
    摘要： 用离子束辅助磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在TiN、CrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Cr合金膜.用滚动接触疲劳实验评价结合强度,结果发现:扩散阻挡层可明显提高结合强度;CrN上的Cu-C...
  • 162. AP-CVD法制备的二氧化钛薄膜结构及亲水性研究
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  60-62
    摘要： 基于实现在线镀膜的目的,研究了以TiCl4为钛源,用AP-CVD法在玻璃基板上制备TiO2薄膜的工艺.利用扫描电子显微(SEM)技术和X射线衍射(XRD)技术,研究了不同基板反应温度下薄膜的...
  • 163. AP-CVD法制备的二氧化钛薄膜结构及亲水性研究
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  60-62
    摘要： 基于实现在线镀膜的目的,研究了以TiCl4为钛源,用AP-CVD法在玻璃基板上制备TiO2薄膜的工艺.利用扫描电子显微(SEM)技术和X射线衍射(XRD)技术,研究了不同基板反应温度下薄膜的...
  • 164. 折射率可调的纳米彩色薄膜的制备研究
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  20-23
    摘要： 采用溶胶-凝胶技术,以正硅酸乙酯和钛酸丁酯为有机醇盐前驱体,乙醇、生物染色剂为主要原料,利用提拉法制备出折射率可调的纳米复合彩色薄膜.经测试研究表明,薄膜的折射率随TiO2含量的增加以及热处...
  • 165. 射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  54-56
    摘要： 本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH4和CH4混合气体,在300℃低温下生长出了Si-C-H薄膜,并对沉积的薄膜在N2氛围中进行了退火研究.用红外吸收光谱、X射线衍射、原子力显微镜...
  • 166. V2O5掺杂对TiO2纳米复合薄膜性能的影响
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  63-67,70
    摘要： 采用溶胶-凝胶技术,以钛酸丁酯Ti(OC4H9)4、V2O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2-V2O5复合薄膜.使用XRD、AFM、UV-VIS-NIR分光光度计等方法研究了V2O5对T...
  • 167. V2O5掺杂对TiO2纳米复合薄膜性能的影响
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  63-67,70
    摘要： 采用溶胶-凝胶技术,以钛酸丁酯Ti(OC4H9)4、V2O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2-V2O5复合薄膜.使用XRD、AFM、UV-VIS-NIR分光光度计等方法研究了V2O5对T...
  • 168. 高k栅介质薄膜材料研究进展
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  28-32
    摘要： 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐渐接近(1～1.5)nm,这时电子的直接隧穿而导致栅...
  • 169. 真空技术在航空机电部件制造中的应用
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  89-91
    摘要： 真空技术在航空工业发展中得到越来越广泛的应用,以满足新型飞机高速发展对航空机电部件制造提出的越来越苛刻的技术要求.本文初步探讨了真空技术在:纳米加工、微电子电路、平板显示器件、光电传感器和微...
  • 170. 射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  54-56
    摘要： 本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH4和CH4混合气体,在300℃低温下生长出了Si-C-H薄膜,并对沉积的薄膜在N2氛围中进行了退火研究.用红外吸收光谱、X射线衍射、原子力显微镜...
  • 171. Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z2期
    页码:  50-53
    摘要： Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点.由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻.为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Z...
  • 172. 新型声表面波器件中氧化锌薄膜的研制
    作者：
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年z1期
    页码:  7-13,23
    摘要： 本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶Si(110),Al/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳米级结晶度(10nm～30nm),良好的...

真空科学与技术学报基本信息

刊名 真空科学与技术学报 主编 吴锦雷
曾用名 真空科学与技术
主办单位 中国真空学会  主管单位 中国科学技术协会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1672-7126 CN 11-5177/TB
邮编 100022 电子邮箱 vst@chinesevacuum.com
电话 010-58206280 网址
地址 北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室

真空科学与技术学报统计分析

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