射频PECVD法制备Si-C-H薄膜的研究

• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si-C-H薄膜 退火 红外 XRD AFM
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2070字
• 语种: 中文

摘要

本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH4和CH4混合气体,在300℃低温下生长出了Si-C-H薄膜,并对沉积的薄膜在N2氛围中进行了退火研究.用红外吸收光谱、X射线衍射、原子力显微镜对薄膜进行热处理前后的结构和表面形貌分析.测试结果显示在所沉积的薄膜中含有Si-C键,分布于结晶性好的Si晶粒之间.