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AlGaN
GaN
金属有机化学气相淀积
气相寄生反应
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 化学汽相淀积技术(二十)
来源期刊 半导体杂志 学科 工学
关键词 化学汽相淀积 半导体 薄膜 氧化硅
年,卷(期) 1989,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 48-53
页数 6页 分类号 TN305.5
字数 语种
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
化学汽相淀积
半导体
薄膜
氧化硅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
季刊
1005-3077
12-1134/TN
16开
天津市河西区陈塘庄岩峰路
1976
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
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1404
论文1v1指导