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摘要:
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Si中Nd离子热退火行为的深能级瞬态谱研究
Nd离子注入
n型Si
深能级
热退火
Si+/As+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究
离子注入
半绝缘GaAs
电激活均匀性
EL2能级
Ge+注入Si1-x Gex/Si异质结的退火行为
离子注入
Si1-xGex/Si异质结
退火行为
X射线衍射
快速退火炉离子注入退火工艺设计
快速热退火
离子注入
硅片
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 As^+,Si^+双注入GaAs瞬态退火的行为
来源期刊 科技通讯(上海船厂) 学科 工学
关键词 GAAS Si^+ As^+ 离子注入 瞬态退火
年,卷(期) 1989,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 32-35
页数 4页 分类号 TN304.23
字数 语种
DOI
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1989(0)
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研究主题发展历程
节点文献
GAAS
Si^+
As^+
离子注入
瞬态退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技通讯(上海船厂)
双月刊
上海市机厂路132号
出版文献量(篇)
142
总下载数(次)
0
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0
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