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硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
硅基锗硅薄膜
驰豫衬底
外延生长
提取IGBT外延层载流子寿命的新方法
载流子寿命
提取
IGBT
模拟
SPICE
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控
硅外延层
化学气相沉积
厚度
电阻率
均匀性
缺陷
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 硅外延层加工方法
来源期刊 苏联科学与技术 学科 工学
关键词 加工 外延层 半导体材料
年,卷(期) 1989,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 25-26
页数 2页 分类号 TN304.120
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研究主题发展历程
节点文献
加工
外延层
半导体材料
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
苏联科学与技术
双月刊
1004-180X
出版文献量(篇)
468
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2
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0
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