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摘要:
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表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响
石墨烯
场效应晶体管
表面粗糙
电流
部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型
部分耗尽
异质环栅
金属氧化物半导体场效应晶体管
阈值电压
考虑可移动电荷的双栅隧穿场效应晶体管电流模型
隧穿场效应晶体管
可移动电荷
表面势
漏电流
解析模型
一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管
隧穿
场效应晶体管
平均亚阈值斜率
隧穿势垒
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETS)高场区静态特性模型和泄漏电流研究
来源期刊 科技通讯(上海船厂) 学科 工学
关键词 HIGFETS 静态特性模型 栅泄漏模型
年,卷(期) 1990,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 20-28
页数 9页 分类号 TN386.2
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DOI
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1990(0)
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研究主题发展历程
节点文献
HIGFETS
静态特性模型
栅泄漏模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技通讯(上海船厂)
双月刊
上海市机厂路132号
出版文献量(篇)
142
总下载数(次)
0
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