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硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
硅基锗硅薄膜
驰豫衬底
外延生长
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
部分P/N埋层的高压SOI LDMOS研究
击穿电压
导通电阻
部分埋层
绝缘衬底硅
横向双扩散金属氧化物半导体
聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型
淀积速率
模型
聚焦离子束
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 注As或扩Sb埋层对硅外延淀积的影响
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 晶体管 集成电路 AS 外延淀积
年,卷(期) 1991,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 19-22
页数 4页 分类号 TN431.05
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1991(0)
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研究主题发展历程
节点文献
晶体管
集成电路
AS
外延淀积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
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0
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