PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响

• 作者: 李俊峰 杨建军 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子损伤 保护介质层 PECVD
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 3843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.001

摘要

通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化,MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE(Reactive Ion Etching)金属前PECVD-TEOS预淀积保护介质层的保护作用,实验结果表明此介质层没有起到足够的保护作用,反而会由于更长的等离子体工艺时间产生更严重的损伤问题.传统的电荷在硅片表面积累理论不足以解释此现象,本文从高能电子隧穿作用来分析此性能退化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	杨建军	中国科学院微电子研究所	23	346	7.0	18.0
4	李俊峰	中国科学院微电子研究所	29	122	7.0	9.0