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功率MOSFET并联应用及研究
功率MOSFET
暂态均流
PSpice仿真
对称分布
击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制
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轻掺杂漏
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器件模拟
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衬底电流
热载流子效应
深亚微米
反应离子腐蚀及其在VLSI失效分析中的应用
超大规模集成电路
失效分析
多层金属化
反应离子腐蚀
钝化层
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 VLSI中LDD MOSFET工艺分析及研究
来源期刊 江南半导体通讯 学科 工学
关键词 VLSI LDD MOSFET 集成电路
年,卷(期) 1992,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 34-38,43
页数 6页 分类号 TN47
字数 语种 中文
DOI
五维指标
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1992(0)
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研究主题发展历程
节点文献
VLSI
LDD
MOSFET
集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
江南半导体通讯
双月刊
江苏省无锡市105信箱微电子技术编辑部
出版文献量(篇)
141
总下载数(次)
1
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