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摘要:
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高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计
高压
功率MOSFET
结终端保护
场板
场限环
高压LDMOS功率器件的研究
高压器件
LDMOS
RESURF技术
MEDICI
导通电阻
用于三相不解耦PFC的新型高压功率器件EBST
功率因素校正
发射极开关双极型晶体管
驱动电路
存储时间
一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGe HBT
SiGe HBT
图形外延
自对准
高压
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 高压功率器件的台面终端技术
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 功率器件 台面终端技术 PN结
年,卷(期) shwdzjshyy_1993,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 8-11
页数 4页 分类号 TN323.4
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
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1993(0)
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研究主题发展历程
节点文献
功率器件
台面终端技术
PN结
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
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