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MOCVD法侧向外延生长高质量GaN
GaN
侧向外延
穿透位错
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
GaN薄膜
MOCVD
同质外延
氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究
氮化镓
氢化物气相外延
低温成核层
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 MOCVD生长高质量GaN异质外延膜
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 MOCVD生长 GAN 异质 外延膜 化合物半导体
年,卷(期) 1995,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 17-18
页数 2页 分类号 TN304.23
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研究主题发展历程
节点文献
MOCVD生长
GAN
异质
外延膜
化合物半导体
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电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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576
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