Al／n—GaAs肖特基接触正向脉冲退化对GaAsIC的影响

• 作者: 夏世伟 施健
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基接触 正向脉冲效应 铝 砷化镓 集成电路
• 年，卷（期）: 1995,（2）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN453

摘要

本文描述了Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ肖特基接触的正向脉冲退化效应，探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时，势垒高度ΦＢ升高，直接影响Ａｌ栅ＭＥＳＦＥＴｓ的特性，导致Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ ＩＣ失效的机理。