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MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器
激光器
量子阱
金属有机物化学气相沉淀
应变补偿
AlGaInAs/InP
共面电极
键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器
直接键合
长波长激光器
硅基
键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器
垂直腔面发射激光器
晶片直接键合
隧道结
AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器
激光器
量子阱结构
应变补偿
AlGaInAs/InP
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 1.3μm InGaAsP/InP压应变多量子阱激光器的极低阈值(0.56mA)工作
来源期刊 光纤通信技术 学科 工学
关键词 半导体激光器 压应变多量子阱 阈值 激光器
年,卷(期) 1995,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 31-32
页数 2页 分类号 TN248.4
字数 语种 中文
DOI
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1995(0)
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研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器
压应变多量子阱
阈值
激光器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光纤通信技术
月刊
武汉市洪山区邮科院路88号
出版文献量(篇)
1130
总下载数(次)
10
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0
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