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二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用
二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用
作者:
刘安生
刘峥
安生
徐军
王敬
王瑞忠
邵贝羚
钱佩信
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
二次电子成分衬度像
异质结半导体材料和器件
电子显微术
微结构
摘要:
阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法, 介绍了一种新的试样制备方法, 讨论了各种制样方法的特点. 以多层P+-Si1-xGex/p-Si异质结内光发射红外探测器为例, 介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用. 将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较, 讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景.
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二次电子
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文献信息
篇名
二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用
来源期刊
稀有金属
学科
工学
关键词
二次电子成分衬度像
异质结半导体材料和器件
电子显微术
微结构
年,卷(期)
1998,(6)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
401-405
页数
5页
分类号
TB3
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.001
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
徐军
北京大学电子显微镜实验室
44
285
10.0
15.0
2
刘安生
30
133
6.0
10.0
3
邵贝羚
21
81
6.0
8.0
4
钱佩信
清华大学微电子学研究所
29
158
7.0
11.0
5
王敬
16
83
5.0
8.0
6
安生
5
19
2.0
4.0
7
刘峥
2
1
1.0
1.0
8
王瑞忠
清华大学微电子学研究所
3
1
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
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节点文献
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1997(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1998(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2012(1)
引证文献(1)
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研究主题发展历程
节点文献
二次电子成分衬度像
异质结半导体材料和器件
电子显微术
微结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属
主办单位:
北京有色金属研究总院
出版周期:
月刊
ISSN:
0258-7076
CN:
11-2111/TF
开本:
大16开
出版地:
北京新街口外大街2号
邮发代号:
82-167
创刊时间:
1977
语种:
chi
出版文献量(篇)
4172
总下载数(次)
13
总被引数(次)
39184
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