功率VDMOS开关特性与结构关系

• 来源期刊: 西安电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 器件结构 开关时间
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 103-106
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

VDMOS的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响.笔者设计和制造了3种体内结构与常规VDMOS相同,而表面结构不同的器件.实验结果表明,这3种结构器件的开关时间都明显减小.