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SiGe-HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响
SiGe-HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响
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摘要：
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不同偏置影响SiGe HBT剂量率效应数值模拟
SiGeHBT
不同偏置
γ辐射
数值模拟
PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究
PNP型SiGe HBT,三角形分布,梯形分布,矩形分布,电流增益
γ辐照对SiGe HBT特性的影响
SiGe HBT
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集电极电流
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SiGe HBT
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主办单位：
中国电子学会
出版周期：
月刊
ISSN：
0372-2112
CN：
11-2087/TN
开本：
大16开
出版地：
北京165信箱
邮发代号：
2-891
创刊时间：
1962
语种：
chi
出版文献量（篇）
11181
总下载数（次）
11
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206555
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