功能电子陶瓷的MOCVD薄膜技术

• 作者: 孙顺明
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD TiO2薄膜 薄膜技术 电子陶瓷
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 3-4
• 页数: 2页
• 分类号: TN304
• 字数: 2583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.01.002

摘要

与常用电子陶瓷薄膜技术相比, MOCVD技术具有薄膜化学成分、结晶结构和氧化程度易控制,沉积温度低,沉积速率高,薄膜的致密性、均匀性和台阶覆盖性好,可理想生长多组元和多层结构的功能金属氧化物薄膜,能直接由实验室转入规模生产及与硅的大规模集成工艺兼容等优点.应用自制设备及MOCVD技术,分别在高掺杂硅片和有透明导电膜玻璃的基片上生长了TiO2薄膜.测得的1 mm Au圆点/TiO2薄膜/p+-Si衬底样品的I-V和C-V特性,清楚地给出了MIS结构的行为.淀积在透明导电膜玻璃上的TiO2薄膜有电致变色现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙顺明	西安交通大学电子与工程信息学院	2	61	2.0	2.0