底电极对PYZT铁电薄膜电容器的影响

• 作者: 刘梅冬 曾亦可 饶韫华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 溶胶-凝胶法 快速热处理 底电极
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 3-5
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.9|TM53
• 字数: 4353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.02.002

摘要

PYZT铁电薄膜电容器的制备采用sol-gel方法,将约500 nm厚的PYZT薄膜沉积在Pt/Ti、Pt/SiO2及Pt/RuO2底电极上,基片为Si(111).详细分析研究了PYZT薄膜在不同底电极,不同快速热处理温度下的晶相结构及PYZT铁电薄膜电容器的小信号特性.研究发现,沉积在Pt/RuO2底电极上的PYZT薄膜经800℃快速热处理具有较接近理想外延PYZT薄膜结构,而且εr随着快速热处理温度升高而减小,在800℃快速热处理条件下其εr约为150.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘梅冬	华中理工大学电子科学与技术系	8	91	4.0	8.0
2	曾亦可	华中理工大学电子科学与技术系	6	55	4.0	6.0
3	饶韫华	华中理工大学电子科学与技术系	2	27	2.0	2.0