量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响

• 作者: 刘理天 李志坚 马玉涛
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 亚阈区 模型 量子化效应
• 年，卷（期）: 1999,（Z1）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 88-90
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.1999.Z1.023

摘要

通过在三角势垒近似下求解薛定谔方程,应用费米统计建立了MOSFET亚阈区经典的和量子力学的载流子分布模型,并从器件开启的实质出发,提出了一种适用于量子力学理论的开启电压定义,进而计算了经典理论和量子力学理论下的亚阈区载流子分布和亚阈区电流,系统研究了量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响.计算结果表明:在高掺杂浓度衬底时,量子化效应导致载流子浓度和亚阈区电流的显著降低和开启电压的升高,而对亚阈区斜率因子(S)没有明显的影响.因此在深亚微米MOSFET器件亚阈区特性的模型工作和器件设计中,必须考虑量子化效应的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子研究所	230	1519	19.0	23.0
2	李志坚	清华大学微电子研究所	84	451	11.0	15.0
3	马玉涛	清华大学微电子研究所	4	13	3.0	3.0