a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质

• 作者: 刘宁宁 孙甲明 师文生 潘少华 王晓光 王荣平 陈凡 陈正豪
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si/SiO2超晶格 光谱研究 光学非线性 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2000,（22）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 2383-2387
• 页数: 5页
• 分类号: TQ17
• 字数: 3323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2000.22.005

摘要

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了a-Si/SiO2 超晶格.利用TEM和X射线衍射技术对其结构进行了分析,并采用多种光谱测量手段,如Raman光谱、吸收光谱和光致发光谱,对该结构的光学性质进行了研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,Raman峰发生展宽,吸收边以及光荧光峰发生蓝移.用单光束Z扫描技术研究了a-Si/SiO2 超晶格结构的非线性光学性质.这一结果较多孔硅的相应值大两个量级.还对影响非线性效应增强的因素进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宁宁	中国科学院物理研究所光物理实验室	6	64	4.0	6.0
2	陈凡	中国科学院物理研究所光物理实验室	20	246	10.0	15.0
3	王晓光	中国科学院物理研究所光物理实验室	38	172	7.0	11.0
4	陈正豪	中国科学院物理研究所光物理实验室	22	163	9.0	12.0
5	潘少华	中国科学院物理研究所光物理实验室	6	55	2.0	6.0
6	王荣平	中国科学院物理研究所光物理实验室	4	10	1.0	3.0
7	孙甲明	中国科学院物理研究所光物理实验室	2	14	2.0	2.0
8	师文生	中国科学院物理研究所光物理实验室	2	14	2.0	2.0