溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响

• 作者: 宋力昕 彭晓峰 江伟辉 肖兴成 胡行方
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCN薄膜 磁控溅射 FTIR 光学带隙
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 717-721
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2770字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.024

摘要

本文利用射频磁控溅射工艺制备了SiCN薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、N分压对薄膜沉积和光学性能的影响. 研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构，膜中三元素Si、C和N两两之间形成了共价键. N分压的提高降低了薄膜的沉积速率. N流量的提高使光学带隙增大. 溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高，但使得光学带隙减小

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋力昕	中国科学院上海硅酸盐研究所	51	585	15.0	22.0
2	胡行方	中国科学院上海硅酸盐研究所	62	2055	24.0	44.0
3	肖兴成	中国科学院上海硅酸盐研究所	9	195	8.0	9.0
4	江伟辉	中国科学院上海硅酸盐研究所	10	220	8.0	10.0
5	彭晓峰	中国科学院上海硅酸盐研究所	4	51	4.0	4.0